[實用新型]一種太陽光譜選擇性吸收膜

有效

• 申請號: 201320006538.4
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN203163317U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 劉小軍
• 申請（專利權）人: 湖南興業太陽能科技有限公司
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;B32B15/20;B32B15/00;B32B9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽光譜選擇性吸收膜，包括一個覆膜基體，在覆膜基體表面從內到外依次覆蓋紅外反射層、中間介質層、半透明金屬層、表面介質層，其特征在于：所述的覆膜基體為金屬或合金，所述的紅外反射層是鋁涂層，所述的中間介質層為氮化硅涂層，所述的半透明金屬層為鉻涂層，所述的表面介質層為氮氧化硅或氮化硅涂層，其中紅外反射層厚度為20-150nm，中間介質層和表面介質層厚度為30-100nm，半透明金屬層厚度為1-50nm。

2.根據權利要求1所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：在表面介質層外增加一個或兩個“半透明金屬層/介質層”交替層。

3.根據權利要求2所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：“半透明金屬層/介質層”交替層的半透明金屬層為鉻涂層,介質層為氮化硅涂層。

4.根據權利要求2所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：“半透明金屬層/介質層”交替層的半透明金屬層的厚度為1-30nm，介質層厚度為30-100nm。