[實用新型]一種太陽光譜選擇性吸收膜

有效

• 申請號: 201320005802.2
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN203163316U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 劉小軍
• 申請（專利權）人: 湖南興業太陽能科技有限公司
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;B32B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于薄膜技術和薄膜材料領域，涉及一種顏色可調選擇性太陽能吸收膜。?

背景技術

太陽能選擇性吸收涂層是太陽能集熱設備的核心部件，起著吸收太陽輻射能量并向集熱器的傳熱工質傳遞熱量的雙重作用，目前市場上主要的太陽能選擇性吸收涂層有黑鉻、黑鎳、陽極氧化涂層以及藍鈦鍍膜等，現有涂層顏色單一，不美觀，缺乏裝飾性不能使太陽能熱水系統與建筑物在色調上協調一致。?

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種太陽光譜選擇性吸收膜。?

本實用新型的技術方案是，一種太陽光譜選擇性吸收膜，包括覆膜基體，在覆膜基體表面從內到外依次設有中間介質層、半透明金屬層、表面介質層，所述的覆膜基體為Al或Cu，所述的中間介質層和表面介質層為含氮化硅或氮氧化硅的涂層，所述的半透明金屬層為含鉻的涂層。?

覆膜基體的厚度為0.05-0.5mm，中間介質層和表面介質層厚度為30～100nm，半透明金屬層厚度為1～50nm。?

在表面介質層外增加一個或兩個“半透明金屬層/介質層”交替層。?

“半透明金屬層/介質層”交替層的半透明金屬層為含鉻的涂層，介質層為含氮化硅或氮氧化硅的涂層。?

“半透明金屬層/介質層”交替層的半透明金屬層的厚度為1～30nm，介質層厚度為30～100nm。?

一種太陽光譜選擇性吸收膜的生產方法：?

本實用新型具有如下的技術效果，太陽光譜選擇性吸收膜的太陽能吸收率高，發射率低，膜顏色可根據需要進行調節，能使太陽能熱水系統與建筑物在色調上協調一致。?

附圖說明

圖1是藍色的太陽光譜選擇性吸收膜的層狀結構示意圖。?

圖2是藍色的太陽光譜選擇性吸收膜的層狀結構示意圖。?

圖3是黑色的太陽光譜選擇性吸收膜的層狀結構示意圖。?

圖4是紫色的太陽光譜選擇性吸收膜的層狀結構示意圖?

具體實施方式

實施例1?

如圖1所示，一種藍色的太陽光譜選擇性吸收膜，包括一個鋁覆膜基體1，在鋁覆膜基體1表面從內到外依次覆蓋厚度為60nm的氮化硅中間介質層2、厚度為15nm的半透明金屬鉻層3、厚度為68nm的氮氧化硅表面介質層4。?

其生產方法是：?

選擇性吸收涂層的制備方法依次按以下步驟進行：?

a.將Al基體進行表面處理，除去表面油污和氧化皮；?

b.將表面處理好的基體烘干；?

c.將烘干的基體置于真空鍍膜室內；?

d.真空室內，先在基體上磁控濺射一層氮化硅中間介質層，真空度為0.5Pa氣體濺射靶材為中頻電源控制的雙陰極硅靶，其濺射電流為45A，濺射電壓為570V，濺射氣體為Ar，反應氣體為N₂，Ar占所有氣體比重的43%，N₂占57%；?

e.真空室內，再濺射一層半透明金屬鉻層，真空度為0.5Pa氣體濺射靶材為雙陰極鉻靶，其濺射電流為10A，濺射電壓為510V，濺射氣體為Ar；?

f.真空室內，最后再磁控濺射一層氮氧化硅表面介質層，真空度為0.5Pa氣體濺射靶材為中頻電源控制的雙陰極硅靶，其濺射電流為47A，濺射電壓為600V，濺射氣體為Ar，反應氣體為N₂摻O₂，Ar占所有氣體比重的33%，N₂占60%，O₂占7%。?

該藍色的太陽光譜選擇性吸收膜的太陽能吸收率為：94.5%，發射率為：5%。?

實施例2?

如圖2所示，一種藍色的太陽光譜選擇性吸收膜，包括一個鋁覆膜基體1，在鋁覆膜基體1表面從內到外依次覆蓋厚度為60nm的氮化硅中間介質層2、厚度為23nm的半透明金屬鉻層3、厚度為58nm的氮化硅表面介質層4，在表面介質層4外增加一個“半透明金屬層/介質層”交替層5，“半透明金屬層/介質層”?交替層5的半透明金屬層為含鉻的涂層，厚度為10nm，介質層為含氮化硅的涂層，厚度為59nm。?

其生產方法是：?

選擇性吸收涂層的制備方法依次按以下步驟進行：?

a.將Al基體進行表面處理，除去表面油污和氧化皮；?

b.將表面處理好的基體烘干；?

c.將烘干的基體置于真空鍍膜室內；?