[實用新型]一種太陽光譜選擇性吸收膜有效
| 申請號： | 201320005802.2 | 申請日： | 2013-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN203163316U | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 劉小軍 | 申請（專利權）人： | 湖南興業太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | F24J2/48 | 分類號： | F24J2/48;B32B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 411201 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 光譜 選擇性 吸收 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽光譜選擇性吸收膜，包括覆膜基體（1），在覆膜基體（1）表面從內到外依次設有中間介質層（2）、半透明金屬層（3）、表面介質層（4），其特征在于：所述的覆膜基體（1）為Al或Cu，所述的中間介質層（2）和表面介質層（4）為含氮化硅或氮氧化硅的涂層，所述的半透明金屬層（3）為含鉻的涂層。?
2.根據權利要求1所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：覆膜基體（1）的厚度為0.05-0.5mm，中間介質層（2）和表面介質層（4）厚度為30～100nm，半透明金屬層（3）厚度為1～50nm。?
3.根據權利要求1所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：在表面介質層（4）外增加一個或兩個“半透明金屬層/介質層”交替層（5）。?
4.根據權利要求3所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：“半透明金屬層/介質層”交替層（5）的半透明金屬層為含鉻的涂層，介質層為含氮化硅或氮氧化硅的涂層。?
5.根據權利要求3所述的一種太陽光譜選擇性吸收膜，其特征在于：“半透明金屬層/介質層”交替層（5）的半透明金屬層的厚度為1～30nm，介質層厚度為30～100nm。?
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