[實用新型]用于晶體生長的熱屏蔽內層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320005720.8
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN203096237U
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 謝華祥
• 申請（專利權）人: 成都市倍通高溫材料有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及晶體生長爐，特別涉及一種用于晶體生長的熱屏蔽內層。

現有的用于晶體生長的熱屏蔽內層由圖1所示的組件砌成，這樣形成的熱屏蔽內層組件之間縫隙直通，從而造成熱損失大，溫場不穩(wěn)定，而影響產品質量。

本實用新型的目的就在于提供一種用于晶體生長的熱屏蔽內層，該用于晶體生長的熱屏蔽內層無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。

本實用新型的技術方案是：一種用于晶體生長的熱屏蔽內層，所述熱屏蔽內層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述第二凸起后方為第二空體；所述第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，所述第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合。

作為優(yōu)選，所述組件材料為氧化鋯。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：采用本實用新型保護的熱屏蔽內層，由于第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合，因此熱屏蔽內層無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。而氧化鋯用于熱屏蔽內層具有很好的熱屏蔽效果。

圖1為本實用新型的背景技術示意圖；

圖2為本實用新型的組件1結構示意圖；

圖2為本實用新型的組件1結構示意圖；

圖3為本實用新型的整體結構示意圖。

下面將結合附圖對本實用新型作進一步說明。

如圖3所示的用于晶體生長的熱屏蔽內層，該熱屏蔽內層由一組組件1疊砌而成。

如圖2所示，組件1包括圓弧形基體2，該圓弧形基體2兩側分別帶有第一凸起3和第二凸起5，第一凸起3前方為第一空體4，第二凸起5后方為第二空體6。組件1第一凸起3與相鄰組件1第二空體6相吻合，第二凸起5與相鄰組件1第一空體4相吻合。

疊砌時，將組件1第一凸起3嵌入相鄰組件1第二空體6，第二凸起5嵌入相鄰組件1第一空體4。

疊砌成的熱屏蔽內層組件1之間無縫隙，熱損失小，溫場穩(wěn)定。

組件1材料采用氧化鋯。氧化鋯具有熔點高、硬度大。氧化鋯熱導率低(1000℃，2．09W/(m·K))，線膨脹系數大(25～1500℃?9．4×10?6/℃)，高溫結構強度高，在氧化氣氛中使用穩(wěn)定性好，用于熱屏蔽內層具有很好的熱屏蔽效果。

上述實施方式僅作為本實用新型的說明而非限制，本實用新型保護范圍還應包括那些對于本領域普通技術人員來說顯而易見的轉換、轉化、變化或替代，以及在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本本實用新型宗旨的前提下作出各種變化。