[實(shí)用新型]用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320005720.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-01-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203096237U | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝華祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都市倍通高溫材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B35/00 | 分類號(hào)： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 611500 *** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 晶體生長(zhǎng) 屏蔽 內(nèi)層 | ||
【權(quán)利要求書】：
一種用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層，其特征在于：所述熱屏蔽內(nèi)層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側(cè)分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述第二凸起后方為第二空體；所述第一凸起與相鄰組件第二空體相吻合，所述第二凸起與相鄰組件第一空體相吻合。
根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層，其特征在于：所述組件材料為氧化鋯。
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