[實用新型]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201320005016.2 | 申請日: | 2013-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN203150552U | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 安致旭;太勝奎;李承珪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;張軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
技術領域
所描述的技術總體上涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示器。更具體地講,所描述的技術總體上涉及一種包括具有多個薄膜晶體管和至少一個電容器的像素電路的有機發光二極管(OLED)顯示器。
背景技術
顯示裝置是一種用來顯示圖像的裝置,近來,包括有機發光二極管(OLED)的顯示裝置受到關注。
與液晶顯示器(LED)不同,OLED具有自發射的特性并且不需要光源,所以可以減少整個顯示裝置的厚度和重量。OLED表現出諸如低功耗、高亮度和高響應速度的高品質特性。
通常,有機發光二極管(OLED)顯示器包括設置在基底上且延一定方向延伸的柵極布線、延伸為與柵極布線交叉的數據布線、連接到柵極布線和數據布線的像素電路以及連接到像素電路的有機發光二極管。
然而,隨著對高分辨率顯示器的需求的增長,包括在有機發光二極管(OLED)顯示器中的柵極布線、數據布線、像素電路和有機發光二極管的數量也在增加,因此,產生了各種問題,例如,布線的分布(具體地講,柵極布線的數量超過數據布線的數量)、在布線中產生的電壓降以及品質的劣化(例如,斑點)。
在該背景部分公開的上述信息僅是為了加強對所描述技術的背景的理解,因此其可能包含不形成在這個國家對本領域普通技術人員來說已知的現有技術的信息。
實用新型內容
所描述的技術致力于提供一種用于改善顯示品質的高分辨率有機發光二極管(OLED)顯示器。
一個示例性實施例提供了一種有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器包括:第一絕緣層,形成在基底的上方;多條第一柵極布線,沿第一方向延伸,設置在第一絕緣層上;第二絕緣層,形成在所述多條第一柵極布線和第一絕緣層的上方;多條第二柵極布線,沿第一方向延伸,設置在第二絕緣層上;第三絕緣層,形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方;多條數據布線,沿與第一方向交叉的第二方向延伸,設置在第三絕緣層上;像素電路,連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數據布線;有機發光二極管,連接到像素電路。
第一柵極布線可以不與第二柵極布線疊置。
第二柵極布線包括第一掃描線和與第一掃描線分離的重置電源線,第一柵極布線包括第二掃描線和發光控制線,數據布線包括數據線和與數據線分離的驅動電源線。
像素電路包括:第一電容器,連接到重置電源線和驅動電源線;第一薄膜晶體管,連接在驅動電源線和有機發光二極管之間;第二薄膜晶體管,連接在數據線和第一薄膜晶體管之間。
第一電容器包括:第一電容器電極,形成在第一絕緣層上并且連接到重置電源線;第二電容器電極,形成在第二絕緣層上并且連接到驅動電源線。
第一電容器可以包括連接到第二電容器電極的有源電極,有源電極對應于第一電容器電極設置在基底和第一絕緣層之間。
第二電容器電極沿第一方向延伸。
第一薄膜晶體管包括:第一有源層,第一絕緣層形成在第一有源層的上方;第一柵電極,連接到第一電容器電極并且設置在第一絕緣層上;第一源電極,連接到驅動電源線;第一漏電極,連接到有機發光二極管。
第二薄膜晶體管包括:第二有源層,第一絕緣層形成在第二有源層的上方;第二柵電極,連接到第一掃描線并且設置在第一絕緣層上;第二源電極,連接到數據線;第二漏電極,連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
可選擇地,第二薄膜晶體管可以包括:第二有源層,第一絕緣層形成在第二有源層的上方;第二柵電極,連接到第一掃描線并且設置在第二絕緣層上;第二源電極,連接到數據線;第二漏電極,連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
像素電路還包括第二電容器,第二電容器包括形成在第一絕緣層上并且連接到第一電容器電極的第三電容器電極和形成在第二絕緣層上并且連接到第一掃描線的第四電容器電極。
像素電路還包括第三薄膜晶體管,第三薄膜晶體管包括設置在基底和第一絕緣層之間的第三有源層、連接到第一掃描線并且設置在第二絕緣層上的第三柵電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第三源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第三漏電極。
第一柵極布線包括第二掃描線,像素電路還包括第四薄膜晶體管,第四薄膜晶體管包括設置在基底和第一絕緣層之間的第四有源層、連接到第二掃描線并且設置在第一絕緣層上的第四柵電極、連接到重置電源線的第四源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第四漏電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





