[實用新型]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201320005016.2 | 申請日: | 2013-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN203150552U | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 安致旭;太勝奎;李承珪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;張軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,其特征在于所述有機發光二極管顯示器包括:
第一絕緣層,形成在基底的上方;
多條第一柵極布線,沿第一方向延伸,設置在第一絕緣層上;
第二絕緣層,形成在所述多條第一柵極布線和第一絕緣層的上方;
多條第二柵極布線,沿第一方向延伸,設置在第二絕緣層上;
第三絕緣層,形成在所述多條第二柵極布線和第二絕緣層的上方;
多條數據布線,沿與第一方向交叉的第二方向延伸,設置在第三絕緣層上;
像素電路,連接到第一柵極布線、第二柵極布線和數據布線;以及
有機發光二極管,連接到像素電路。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第二柵極布線被設置成不與第一柵極布線疊置。
3.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第二柵極布線包括第一掃描線和與第一掃描線分離的重置電源線,第一柵極布線包括第二掃描線和與第二掃描線分離的發光控制線,數據布線包括數據線和與數據線分離的驅動電源線。
4.如權利要求3所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,像素電路包括:
第一電容器,連接到重置電源線和驅動電源線;
第一薄膜晶體管,連接在驅動電源線和有機發光二極管之間;以及
第二薄膜晶體管,連接在數據線和第一薄膜晶體管之間。
5.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第一電容器包括:
第一電容器電極,形成在第一絕緣層上并且連接到重置電源線;以及
第二電容器電極,形成在第二絕緣層上并且連接到驅動電源線。
6.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第一電容器還包括連接到第二電容器電極的有源電極,有源電極對應于第一電容器電極設置在基底和第一絕緣層之間。
7.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第二電容器電極形成為沿第一方向延伸。
8.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第一薄膜晶體管包括:
第一有源層,第一絕緣層形成在第一有源層的上方;
第一柵電極,連接到第一電容器電極并且設置在第二絕緣層上;
第一源電極,連接到驅動電源線;以及
第一漏電極,連接到有機發光二極管。
9.如權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第二薄膜晶體管包括:
第二有源層,第一絕緣層形成在第二有源層的上方;
第二柵電極,連接到第一掃描線并且設置在第一絕緣層上;
第二源電極,連接到數據線;以及
第二漏電極,連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
10.如權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第二薄膜晶體管包括:
第二有源層,第一絕緣層形成在第二有源層的上方;
第二柵電極,連接到第一掃描線并且設置在第二絕緣層上;
第二源電極,連接到數據線;以及
第二漏電極,連接到第一薄膜晶體管的第一源電極。
11.如權利要求9所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,像素電路還包括第二電容器,第二電容器包括形成在第一絕緣層上并且連接到第一電容器電極的第三電容器電極和形成在第二絕緣層上并且連接到第一掃描線的第四電容器電極。
12.如權利要求11所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,像素電路還包括第三薄膜晶體管,第三薄膜晶體管包括設置在基底和第一絕緣層之間的第三有源層、連接到第一掃描線并且設置在第二絕緣層上的第三柵電極、連接到第一薄膜晶體管的第一漏電極的第三源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第三漏電極。
13.如權利要求12所述的有機發光二極管顯示器,其特征在于,第一柵極布線包括第二掃描線,像素電路還包括第四薄膜晶體管,第四薄膜晶體管包括設置在基底和第一絕緣層之間的第四有源層、連接到第二掃描線并且設置在第一絕緣層上的第四柵電極、連接到重置電源線的第四源電極以及連接到第一薄膜晶體管的第一柵電極的第四漏電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





