[實用新型]半導體封裝體

有效

• 申請號: 201320003150.9
• 申請日: 2013-01-05
• 公開（公告）號: CN203300637U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 嚴柱陽;鄭潤載
• 申請（專利權）人: 快捷韓國半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 徐川;張穎玲

相關申請的交叉引用

本申請要求在2012年1月6日向韓國知識產權局遞交的韓國實用新型申請10-2012-0000159的優先權，其公開內容通過引用全部并入本文中。

技術領域

本實用新型涉及一種半導體封裝體，且更具體地，涉及一種包括在其上裝載半導體芯片的襯底的半導體封裝體。

背景技術

由于近來電子裝置具有高速、大容量和小型化性能，所以半導體封裝體的集成化提高。因此，對于在半導體封裝體中有效地使相鄰裝置電絕緣的結構和制造方法進行了研究。還對能夠有效地釋放由半導體封裝體產生的熱量的結構和制造方法存在增長的需求。

實用新型內容

本實用新型提供了一種具有改進可靠性的半導體封裝體。

根據本實用新型的一方面，提供了一種半導體封裝體，包括：襯底，所述襯底具有絕緣性能，并且包括陶瓷材料；金屬層，所述金屬層設置在所述襯底上；芯片焊盤(die?paddle)，所述芯片焊盤設置在所述金屬層上；粘合層，所述粘合層用于連接所述金屬層和所述芯片焊盤；以及半導體芯片，所述半導體芯片設置在所述芯片焊盤的頂表面上以電連接到所述芯片焊盤。

所述粘合層可以由焊料材料形成。

所述金屬層可以與所述襯底接觸，并且從所述襯底的邊緣向內設置預定長度。

所述半導體封裝體還可以包括密封構件，所述密封構件圍繞所述半導體芯片和所述芯片焊盤，并且用于使所述襯底的下表面暴露。

所述半導體封裝體可以包括多個所述襯底，并且所述襯底通過在它們之間插入所述密封構件而彼此隔開設置。

所述半導體封裝體還可以包括連接到所述芯片焊盤的引線。

附圖說明

由以下結合附圖的詳細說明，將更清楚地理解本實用新型的示例性實施方式，其中：

圖1是根據本實用新型的實施方式的半導體封裝體的透視圖；

圖2是圖1的半導體封裝體的橫截面圖；

圖3是圖1的半導體封裝體的仰視圖；

圖4A至4D是用于描述制造圖1的半導體封裝體的方法的橫截面圖；以及

圖5是根據本實用新型的另一實施方式的半導體封裝體的橫截面圖。

具體實施方式

現在將參照其中示出本實用新型示例性實施方式的附圖，更充分地描述本實用新型。然而，本實用新型可以包含在許多不同形式中，并且不應該解釋為限制在本文中闡述的實施方式；更確切地，提供這些實施方式，使得本實用新型內容將是全面和完整的，并且充分將本實用新型的構思傳達給本領域的普通技術人員。

同樣，由于例如制造技術和/或偏差的原因，預計可能會發生與圖示形狀的偏離。因此，本實用新型的實施方式不應該解釋為限制本文中示出區域的具體形狀，而是包括例如由于制造導致的形狀上的誤差。在圖中，相同的附圖標記表示相同的元件。此外，圖中示意性地示出了不同的元件和區域。因此，本實用新型不限于在圖中示出的相對尺寸和間隔。在本文中使用的術語“和/或”包括一個或多個相關列出項目的任一和全部組合。

圖1是根據本實用新型實施方式的半導體封裝體1000的透視圖。圖2是沿著圖1的線II-II′獲得的半導體封裝體1000的橫截面圖。

雖然出于方便說明的原因，在圖1中省略了用于保護內部構件的模制構件(molding?member)180，但是在圖2中示出了模制構件180。

參照圖1和圖2，半導體封裝體1000包括襯底100a和100b，多個金屬層110、多個芯片焊盤135和第一半導體芯片160a至第四半導體芯片160d。半導體封裝體1000還包括多根第一引線130、第二引線140、多根導線170(第一導線至第五導線171、173、175、177和179)和模制構件180。

襯底100a和100b可以由陶瓷材料形成。襯底100a和100b可以包括例如Al₂O₃、AlN、SiO₂或BeO。襯底100a和100b的下表面可以用作輻射表面。或者，附加的散熱器(未示出)還可以設置在襯底100a和100b的下表面上。