[發明專利]加濕裝置及加濕氣體的方法

有效

• 申請號: 201310753962.X
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103715119B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 任大清
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

本發明公開了一種加濕裝置及加濕氣體的方法。加濕氣體的方法包括：分別通過高壓進氣單元、高壓進液單元向缸體中輸入高壓氣體、高壓液體；經高壓進氣單元、高壓進液單元輸入的高壓氣體、高壓液體分別經高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元形成高壓氣體流和高壓液體流；經高壓液體噴灑單元形成的高壓液體流再經高壓液體霧化單元處理后形成霧化液體，高壓氣體收集單元收集經高壓氣體噴灑單元處理形成的高壓氣體流并將其導入到缸體中積聚的液體；缸體中積聚的液體對導入的高壓氣體流進行初級加濕處理，初級加濕后的高壓氣體流向上運動被高壓液體霧化單元處形成的霧化液體再次加濕處理；再次加濕處理后的高壓氣體流流經加濕氣體輸出單元排出。

技術領域

本發明涉及加濕技術領域，具體地說，涉及一種加濕裝置及加濕氣體的方法。

背景技術

在半導體的制造過程中，往往在工藝中需要用到液體的化學物品，例如化學機械研磨工藝需要用到液體的研磨液，在泵送研磨液時，需要用氣體注入研磨液缸內，以起到封存的作用，防止研磨液接觸空氣。然而，使用干燥的氣體如氮氣，往往會吸收研磨液中水分，導致研磨液出現結晶現象，結晶的研磨液則會影響化學機械研磨的工藝效果。因此，研磨液桶槽中的氣體在充入前，通常需要經過加濕處理，以避免干燥氣體吸收研磨液中水分導致結晶現象。

現有技術中，常用的加濕裝置有在水槽中，通過電能產生超聲波來霧化水氣來加濕。

由于電致超聲波加濕導致經常出現靜電吸附現象，影響工藝的研磨效果。再者，由于在上述過程中，需要外接電源等增加了系統的復雜性。

綜上，現有技術中提供的加濕裝置加濕效率較低、易發生靜電吸附以及使用電源等。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種加濕裝置及加濕氣體的方法，用以部分或全部克服、部分或全部解決現有技術存在的上述技術問題。

為了部分或全部克服、部分或全部解決上述技術問題，本發明提供了一種加濕裝置，其包括：缸體、高壓進氣單元、高壓進液單元、高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元、高壓液體霧化單元、高壓氣體收集單元、加濕氣體輸出單元；所述高壓進氣單元、所述高壓進液單元設置在所述缸體的腔體外部上半部分的位置，所述高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元設置在所述缸體的腔體內部上半部分的位置，所述霧化單元設置在所述高壓氣體噴灑單元的正下方，所述高壓氣體收集單元設置在所述高壓進氣單元的正下方，所述加濕氣體輸出單元設置在所述缸體的頂部位置；所述高壓進氣單元與所述高壓氣體噴灑單元相連，所述高壓進液單元與所述高壓液體噴灑單元相連。

優選地，在本發明的一實施例中，所述加濕裝置還包括溢流單元，所述溢流單元在所述缸體上的設置位置參考預定的液位設定。

優選地，在本發明的一實施例中，所述溢流單元為S形溢流管。

優選地，在本發明的一實施例中，所述高壓進氣單元和高壓進液單元在所述缸體的腔體外部上半部分的設置位置處于水平線。

優選地，在本發明的一實施例中，所述高壓氣體噴灑單元、所述高壓液體噴灑單元嵌套設置。

優選地，在本發明的一實施例中，所述高壓進氣單元包括進氣控制閥，所述高壓進液單元包括進液控制閥。

優選地，在本發明的一實施例中，所述高壓液體霧化單元通過對所述高壓液體噴灑單元噴灑的高壓液體形成撞擊效應以形成霧化的高壓液體。

優選地，在本發明的一實施例中，所述加濕裝置還包括：液體排放單元，所述液體排放單元設置在所述缸體的底部，所述液體排放單元包括排液控制閥。

優選地，在本發明的一實施例中，所述高壓霧化單元包括圓錐刀口。

為了部分或全部克服、部分或全部解決上述技術問題，本發明提供了一種加濕氣體的生成方法，其包括：