[發(fā)明專利]加濕裝置及加濕氣體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310753962.X | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103715119B | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 任大清 | 申請(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高壓液體 高壓氣體 高壓氣體流 加濕氣體 噴灑單元 加濕處理 缸體 高壓進氣單元 高壓液體流 加濕裝置 進液單元 霧化單元 霧化液體 積聚 收集單元 輸出單元 輸入高壓 加濕 排出 | ||
1.一種加濕裝置,其特征在于,包括:缸體、高壓進氣單元、高壓進液單元、高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元、高壓液體霧化單元、高壓氣體收集單元、加濕氣體輸出單元;所述高壓進氣單元、所述高壓進液單元設(shè)置在所述缸體的腔體外部上半部分的位置,所述高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元設(shè)置在所述缸體的腔體內(nèi)部上半部分的位置,所述高壓液體霧化單元設(shè)置在所述高壓氣體噴灑單元的正下方,所述高壓氣體收集單元設(shè)置在所述高壓進氣單元的下方,所述加濕氣體輸出單元設(shè)置在所述缸體的頂部位置;所述高壓進氣單元與所述高壓氣體噴灑單元相連,所述高壓進液單元與所述高壓液體噴灑單元相連,經(jīng)高壓進氣單元、高壓進液單元輸入的高壓氣體、高壓液體分別經(jīng)高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元形成高壓氣體流和高壓液體流;經(jīng)高壓液體噴灑單元形成的高壓液體流經(jīng)高壓液體霧化單元處理后形成霧化液體,高壓氣體收集單元收集經(jīng)高壓氣體噴灑單元處理形成的高壓氣體流并將其導入到缸體中積聚的液體;缸體中積聚的液體對導入的高壓氣體流進行初級加濕處理,初級加濕后的高壓氣體流向上運動被高壓液體霧化單元處形成的霧化液體再次加濕處理;再次加濕處理的高壓氣體流流經(jīng)加濕氣體輸出單元排出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括溢流單元,所述溢流單元在所述缸體上的設(shè)置位置參考預定的液位設(shè)定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于,所述溢流單元為S形溢流管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述高壓進氣單元和高壓進液單元在所述缸體的腔體外部上半部分的設(shè)置位置處于水平線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述高壓氣體噴灑單元、所述高壓液體噴灑單元嵌套設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述高壓進氣單元包括進氣控制閥,所述高壓進液單元包括進液控制閥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述高壓液體霧化單元通過對所述高壓液體噴灑單元噴灑的高壓液體形成撞擊效應(yīng)以形成霧化的高壓液體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:液體排放單元,所述液體排放單元設(shè)置在所述缸體的底部,所述液體排放單元包括排液控制閥。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述高壓液體霧化單元包括圓錐刀口。
10.一種加濕氣體的生成方法,其特征在于,包括:
分別通過高壓進氣單元、高壓進液單元向缸體中輸入高壓氣體、高壓液體;
經(jīng)高壓進氣單元、高壓進液單元輸入的高壓氣體、高壓液體分別經(jīng)高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元形成高壓氣體流和高壓液體流;
經(jīng)高壓液體噴灑單元形成的高壓液體流再經(jīng)高壓液體霧化單元處理后形成霧化液體,高壓氣體收集單元收集經(jīng)高壓氣體噴灑單元處理形成的高壓氣體流并將其導入到缸體中積聚的液體;
缸體中積聚的液體對導入的高壓氣體流進行初級加濕處理,初級加濕后的高壓氣體流向上運動被高壓液體霧化單元處形成的霧化液體再次加濕處理;
再次加濕處理后的高壓氣體流流經(jīng)加濕氣體輸出單元排出。體;
經(jīng)高壓進氣單元、高壓進液單元輸入的高壓氣體、高壓液體分別經(jīng)高壓氣體噴灑單元、高壓液體噴灑單元形成高壓氣體流和高壓液體流;
經(jīng)高壓液體噴灑單元形成的高壓液體流再經(jīng)高壓液體霧化單元處理后形成霧化液體,高壓氣體收集單元收集經(jīng)高壓氣體噴灑單元處理形成的高壓氣體流并將其導入到缸體中積聚的液體;
缸體中積聚的液體對導入的高壓氣體流進行初級加濕處理,初級加濕后的高壓氣體流向上運動被高壓液體霧化單元處形成的霧化液體再次加濕處理;
再次加濕處理后的高壓氣體流流經(jīng)加濕氣體輸出單元排出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





