[發明專利]半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201310753947.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752220A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 楊勇勝;陳樂樂
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L21/265;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上制作淺溝槽隔離結構和柵極結構；

在所述柵極結構兩側的半導體襯底上進行輕摻雜漏注入和口袋注入，所述口袋注入分兩次進行，其中一次口袋注入為輕原子量雜質注入，另一次口袋注入為重原子量雜質注入，所述重原子量雜質與所述輕原子量雜質的劑量比大于1：1；

制作所述柵極結構的側墻；

在所述側墻兩側的所述半導體襯底上進行源/漏極注入。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述重原子量雜質與所述輕原子量雜質的劑量比小于或等于5：1，優選2:1～3.5:1。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述半導體器件為NMOS晶體管，所述輕原子量雜質為硼，所述重原子雜質為銦或銻。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述輕原子量雜質注入的能量為5～10Kev，劑量為5E12～4E13個原子/cm³，注入方向與所述半導體襯底的夾角為15～35度；

所述重原子量雜質注入的能量為30～60Kev，劑量為5E12～4E13個原子/cm³，注入方向與所述半導體襯底的夾角為15～35度。

5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述半導體器件為PMOS晶體管，所述輕原子量雜質為磷，所述重原子雜質為砷。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，

所述輕原子量雜質注入的能量為15～35Kev，劑量為5E12～3E13個原子/cm³，注入方向與所述半導體襯底的夾角為15～35度；

所述重原子量雜質注入的能量為30～60Kev，劑量為5E12～4E13個原子/cm³，注入方向與所述半導體襯底的夾角為15～35度。

7.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述兩次口袋注入所注入的雜質的總原子數為1E13～8E13個原子/cm³。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在完成所述口袋注入之后還包括對所述半導體襯底進行退火的處理過程。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為850～1000℃，所述退火的時間為0.1～3S。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用權利要求1至9中任一項所述的制作方法制作而成。