[發(fā)明專(zhuān)利]一種感光單元、顯示面板的陣列基板及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310753810.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103762263A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴天明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/105
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/105;H01L31/0352;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯(lián)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及圖像顯示技術(shù)，特別是關(guān)于一種感光單元、顯示面板的陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷進(jìn)步，顯示面板技術(shù)也在不斷發(fā)展。近年來(lái)，液晶顯示面板（TFT?LCD）以其卓越的性能已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。一個(gè)液晶顯示面板主要由陣列基板、彩色濾光片基板和液晶層組成。其中，陣列基板是由多個(gè)陳列排布的晶體管，以及與每一個(gè)晶體管對(duì)應(yīng)配置的像素單元（pixel）組成。晶體管作為啟動(dòng)像素單元工作的開(kāi)關(guān)元件，通過(guò)掃描線接收來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)電路的掃描信號(hào)，通過(guò)數(shù)據(jù)線接收來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)信號(hào)，在掃描信號(hào)的作用下將數(shù)據(jù)信號(hào)寫(xiě)入像素單元，該像素單元的液晶分子在數(shù)據(jù)信號(hào)的作用下發(fā)生相應(yīng)的偏轉(zhuǎn)，透過(guò)一定量的光，同時(shí)配以外圍的灰階調(diào)節(jié)電路對(duì)光的強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)節(jié)，完成圖像顯示。隨著用戶要求的不斷提高，現(xiàn)今的顯示面板除了實(shí)現(xiàn)上述顯示功能之外，還整合了諸多新的功能，已形成了功能不斷完善的多媒體平臺(tái)。環(huán)境光線感測(cè)功能就是當(dāng)前顯示面板中整合的新功能之一。由現(xiàn)有技術(shù)可知，這種功能通常是通過(guò)在顯示面板的陣列基板上增設(shè)感光單元實(shí)現(xiàn)。如圖1所示，是現(xiàn)有的一種包含感光單元的陣列基板的結(jié)構(gòu)剖視圖。該陣列基板包括基板10，以及在基板10上依次設(shè)置的緩沖層20、第一圖案化半導(dǎo)體層30、柵極絕緣層40、第一圖案化金屬層50、層間介電層60和第二圖案化金屬層70，在設(shè)置第二圖案化金屬層70時(shí)，于感光區(qū)處形成第一感測(cè)電極E1，然后在第一感測(cè)電極E1上沉積一層富硅氧化硅層（silicon?rich?oxide，SRO）或是富硅氮化硅層（silicon?rich?nitride，SRN），作為光敏介電層80，然后再在光電介電層80設(shè)置第二第一感測(cè)電極E2，形成感光單元。這種感光單元的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單易行，但是由于是單層膜（一層富硅氧化硅層或者富硅氮化硅層）結(jié)構(gòu)，因此產(chǎn)生的光電流容易因?yàn)楣ぷ麟妷旱牟▌?dòng)而發(fā)生劇烈的變化，進(jìn)而導(dǎo)致感測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。

現(xiàn)有技術(shù)中，還有一種具有指紋辨識(shí)功能的液晶顯示面板，該顯示面板的陣列基板10上也設(shè)置有感光單元（如圖2所示）。該感光單元包括PIN（P型摻雜區(qū)/本征區(qū)/N型摻雜區(qū)）結(jié)構(gòu)的主動(dòng)層20、保護(hù)層30和接點(diǎn)40。當(dāng)使用者的手指按壓于顯示面板上時(shí)，背光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)像素單元透射后照射于手指上，且經(jīng)手指反射會(huì)照射到本征區(qū)。本征區(qū)吸收反射光的能量使價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，在價(jià)帶中留下空穴，產(chǎn)生等量的電子與空穴，由此在主動(dòng)層20的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)之間形成光電流，該光電流藉由接點(diǎn)40輸出。這種PIN結(jié)構(gòu)的感光單元工作特性比較穩(wěn)定，不易受電壓波動(dòng)的影響。但是由于PIN結(jié)構(gòu)橫向設(shè)置，與陣列基板顯示區(qū)的晶體管同步制作，使得PIN結(jié)構(gòu)的厚度不足，光學(xué)感測(cè)區(qū)域偏小，進(jìn)而導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效能偏低。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種準(zhǔn)確度和光電轉(zhuǎn)換效能較高的感光單元、顯示面板的陣列基板及其制作方法。

本發(fā)明提供一種感光單元，其特征在于，配置于顯示面板的陣列基板上，包括：

第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)，

第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)，

設(shè)置在第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)與第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)之間的本征區(qū)，其中第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)摻雜離子與第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)摻雜離子電性相反；

以及與第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)分別電性連接的第一感測(cè)電極和第二感測(cè)電極。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)可以為P型或者N型離子摻雜的非晶硅，本征區(qū)可以為非晶硅層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)可以為P型或者N型離子摻雜的微晶硅，本征區(qū)可以為微晶硅層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)可以為P型或者N型離子摻雜的微晶硅，本征區(qū)可以為非晶硅層。

進(jìn)一步地，上述第一導(dǎo)電型摻雜區(qū)、第二導(dǎo)電型摻雜區(qū)和本征區(qū)縱向設(shè)置。

本發(fā)明還提供一種顯示面板的陣列基板，其特征在于，陣列基板上設(shè)置有上述感光單元。

本發(fā)明還提供一種顯示面板的陣列基板的制作方法，其包括以下步驟：

提供一基板，該基板包括至少一顯示區(qū)和一感光區(qū)；

形成一第一圖案化半導(dǎo)體層于基板上，該第一圖案化半導(dǎo)體層包括位于顯示區(qū)內(nèi)的第一儲(chǔ)存電極和半導(dǎo)體區(qū)塊，并對(duì)第一儲(chǔ)存電極和半導(dǎo)體區(qū)塊進(jìn)行離子摻雜，以在半導(dǎo)體區(qū)塊內(nèi)形成源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，在源極摻雜區(qū)與漏極摻雜區(qū)之間形成通道區(qū)；

形成一柵極絕緣層于基板上，以覆蓋第一圖案化半導(dǎo)體層；