[發明專利]一種感光單元、顯示面板的陣列基板及其制作方法

無效

• 申請號: 201310753810.X
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103762263A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 戴天明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0352;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯

1.一種感光單元，其特征在于，配置于顯示面板的陣列基板上，包括：

第一導電型摻雜區，

第二導電型摻雜區，

設置在所述第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區之間的本征區，其中所述第一導電型摻雜區摻雜離子與第二導電型摻雜區摻雜離子電性相反；

以及與所述第一導電型摻雜區和第二導電型摻雜區分別電性連接的第一感測電極和第二感測電極。

2.如權利要求1所述的感光單元，其特征在于，所述第一導電型摻雜區、第二導電型摻雜區和本征區縱向設置。

3.如權利要求1或2所述的感光單元，其特征在于，所述第一導電型摻雜區和第二導電型摻雜區為P型或者N型離子摻雜的非晶硅，所述本征區為非晶硅層。

4.如權利要求1或2所述的感光單元，其特征在于，所述第一導電型摻雜區和第二導電型摻雜區為P型或者N型離子摻雜的微晶硅，所述本征區為微晶硅層。

5.如權利要求1或2所述的感光單元，其特征在于，所述第一導電型摻雜區和第二導電型摻雜區為P型或者N型離子摻雜的微晶硅，所述本征區為非晶硅層。

6.一種顯示面板的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上設置有如權利要求1～5任意一項所述的感光單元。

7.一種顯示面板的陣列基板的制作方法，其包括以下步驟：

提供一基板，該基板包括至少一顯示區和一感光區；

形成一第一圖案化半導體層于基板上，該第一圖案化半導體層包括位于顯示區內的第一儲存電極和半導體區塊，并對第一儲存電極和半導體區塊進行離子摻雜，以在半導體區塊內形成源極摻雜區和漏極摻雜區，在源極摻雜區與漏極摻雜區之間形成通道區；

形成一柵極絕緣層于基板上，以覆蓋第一圖案化半導體層；

形成一第一圖案化金屬層于柵極絕緣層上，該第一圖案化金屬層包括對應于通道區的柵極區和對應于第一儲存電極的第二儲存電極；

形成一層間介電層于柵極絕緣層上，以覆蓋第一圖案化金屬層；

形成多個介電層窗口于層間介電層和柵極絕緣層中，以暴露顯示區中源極摻雜區和漏極摻雜區，以及第一圖案化金屬層；

形成一第二圖案化金屬層于層間介電層上，并填入介電層窗口中，且該第二圖案化金屬層包括位于顯示區內的金屬線和位于感光區內的第一感測電極；

形成一第二圖案化半導體層于第一感測電極上，并對第二圖案化半導體層進行離子摻雜，作為第一導電型摻雜區；

形成一第三圖案化半導體層于第一導電型摻雜區上，作為本征區；

形成一第四圖案化半導體層于本征區上，并對第四圖案化半導體層進行離子摻雜，作為第二導電型摻雜區，其中第二導電型摻雜區摻雜離子與第一導電型摻雜區摻雜離子電性相反；

形成隔離保護層于層間介電層上，以覆蓋第二圖案化金屬層和第四圖案化半導體層；

形成多個保護層窗口和開口于隔離保護層中，其中保護層窗口用于暴露顯示區的金屬線，開口用于暴露感光區的第二導電型摻雜區；

形成一圖案化透明導電層在隔離保護層上，并填入保護層窗口和開口中，其中圖案化透明導電層包括通過保護層窗口電性連接金屬線的像素電極，以及通過開口電性連接第二導電型摻雜區的第二感測電極。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于：

所述離子摻雜是P型離子摻雜或者N型離子摻雜。

9.如權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于：

所述第二圖案化半導體層、第三圖案化半導體層和第四圖案化半導體層均為非晶硅層。

10.如權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于：

所述第二圖案化半導體層、第三圖案化半導體層和第四圖案化半導體層均為微晶硅層。

11.如權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于：

所述第二圖案化半導體層和第四圖案化半導體層均為微晶硅層，所述第三圖案化半導體層為非晶硅層。