[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310753220.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103730512A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭在紋;崔仁哲;崔星花
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件。

背景技術(shù)

請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的采用刻蝕阻擋層（ESL，Etch?Stop?Layer）結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管（TFT）的制備方法的流程示意圖，該制備方法包括：

步驟S11：形成柵電極102及柵絕緣層103；

步驟S12：通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在柵絕緣層103上形成有源層（Active?layer）104的圖形。

具體包括：在柵絕緣層103上形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，在所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠，并對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成有源層104的圖形，隨后剝離剩余的光刻膠；

步驟S13：通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在有源層104上形成刻蝕阻擋層105的圖形。

具體包括：在有源層104上形成刻蝕阻擋層薄膜，在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠，并對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后形成刻蝕阻擋層105的圖形，隨后剝離剩余的光刻膠；

步驟S14：在刻蝕阻擋層105上形成兩接觸孔106（Hole），該接觸孔是用于連接有源層104及后續(xù)形成的源電極（Source）/漏電極（Drain）。

步驟S15：通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在刻蝕阻擋層105上形成源電極107和漏電極108。

請(qǐng)同時(shí)參考圖2，圖2為采用圖1中所示的方法制備的氧化物TFT的結(jié)構(gòu)示意圖。

兩接觸孔106之間的間隔L0稱之為TFT的溝道長(zhǎng)度（Channel?Length）。設(shè)定兩接觸孔106之間的間隔時(shí)，需要考慮接觸孔106與源電極107/漏電極108的覆蓋（Overlay）公差以及曝光（Photo）工藝的解像力的誤差。換言之，需要考慮一般曝光機(jī)解像力的誤差（通常為4微米）、設(shè)計(jì)長(zhǎng)度（通常為3微米）以及覆蓋公差（通常為3微米），這時(shí)溝道長(zhǎng)度L0為10微米左右，約為背面溝道刻蝕（BCE）型TFT的溝道長(zhǎng)度的2.5倍。溝道長(zhǎng)度大是降低TFT特性的重要原因之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，以解決現(xiàn)有的ESL結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管溝道長(zhǎng)度大的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括：有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極，其中，所述有源層包括：被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括從所述刻蝕阻擋層的縱向方向上延伸出的側(cè)翼部。

優(yōu)選地，所述有源層包括至少一個(gè)所述覆蓋部，每一所述覆蓋部均包括：位于所述源電極區(qū)域的第一子覆蓋部、位于所述漏電極區(qū)域的第二子覆蓋部以及不位于所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的第三子覆蓋部。

優(yōu)選地，當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于所述第一子覆蓋部的縱向方向上；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于所述第二子覆蓋部的縱向方向上。

優(yōu)選地，所述有源層包括一個(gè)所述覆蓋部；

當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第一子覆蓋部的兩側(cè)；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，兩個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第二子覆蓋部的兩側(cè)。

優(yōu)選地，所述有源層包括兩個(gè)所述覆蓋部；

當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第一子覆蓋部的中間；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時(shí)，位于所述漏電極區(qū)域的所述接觸部包括一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，一個(gè)與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于兩個(gè)所述第二子覆蓋部的中間。

優(yōu)選地，位于所述源電極區(qū)域的接觸部還包括：位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。

優(yōu)選地，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部還包括：位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括柵電極和覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層，所述有源層形成在所述柵絕緣層上。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括鈍化層，所述鈍化層形成在所述源電極和所述漏電極上。

優(yōu)選地，所述有源層采用氧化物金屬半導(dǎo)體材料制成。