[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310753220.7
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103730512A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭在紋;崔仁哲;崔星花
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種薄膜晶體管，包括有源層、刻蝕阻擋層、源電極和漏電極，其特征在于：

所述有源層包括：被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括從所述刻蝕阻擋層的縱向方向上延伸出的側(cè)翼部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述有源層包括至少一個所述覆蓋部，每一所述覆蓋部均包括：位于所述源電極區(qū)域的第一子覆蓋部、位于所述漏電極區(qū)域的第二子覆蓋部以及不位于所述源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域的第三子覆蓋部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：

當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于所述第一子覆蓋部的縱向方向上；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于所述第二子覆蓋部的縱向方向上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述有源層包括一個所述覆蓋部；

當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括兩個與所述源電極接觸的側(cè)翼部，兩個與所述源電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第一子覆蓋部的兩側(cè)；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括兩個與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，兩個與所述漏電極接觸的側(cè)翼部分別位于所述第二子覆蓋部的兩側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述有源層包括兩個所述覆蓋部；

當(dāng)位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，位于所述源電極區(qū)域的接觸部包括一個與所述源電極接觸的側(cè)翼部，一個與所述源電極接觸的側(cè)翼部位于兩個所述第一子覆蓋部的中間；

當(dāng)位于所述漏電極區(qū)域的接觸部包括所述側(cè)翼部時，位于所述漏電極區(qū)域的所述接觸部包括一個與所述漏電極接觸的側(cè)翼部，一個與所述漏電極接觸的側(cè)翼部位于兩個所述第二子覆蓋部的中間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：

位于所述源電極區(qū)域的接觸部還包括：位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于：

位于所述漏電極區(qū)域的接觸部還包括：位于所述刻蝕阻擋層橫向方向上的延伸部。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括柵電極和覆蓋所述柵電極上的柵絕緣層，所述有源層形成在所述柵絕緣層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層形成在所述源電極和所述漏電極上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層采用氧化物金屬半導(dǎo)體材料制成。

11.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

形成有源層和刻蝕阻擋層，所述有源層包括：被所述刻蝕阻擋層覆蓋的覆蓋部和未被所述刻蝕阻擋層覆蓋的、位于所述源電極和漏電極區(qū)域的接觸部，位于所述源電極區(qū)域和/或漏電極區(qū)域的接觸部包括在所述刻蝕阻擋層的縱向方向上的側(cè)翼部；

形成源電極和漏電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于：通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層和刻蝕阻擋層具體包括：

形成氧化物半導(dǎo)體薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；

在所述刻蝕阻擋層薄膜上涂覆光刻膠；

采用半色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)刻蝕阻擋層圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠全保留區(qū)域及所述光刻膠半保留區(qū)域之外的其他區(qū)域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜及金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，形成有源層；

利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，形成刻蝕阻擋層的圖形；

剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以形成所述刻蝕阻擋層和有源層。