[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201310751573.3
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103943681A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 宋在烈;李浚熙;李惠蘭;玄尚鎮;姜尚范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/51;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種半導體器件，包括：

襯底上的絕緣膜，所述絕緣膜中包括溝槽；

所述溝槽內的柵極絕緣膜；

所述柵極絕緣膜上的界面陷阱密度改進膜，所述界面陷阱密度改進膜改進所述襯底的界面陷阱密度；以及

所述界面陷阱密度改進膜上的第一導電類型功函數調整膜。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一導電類型是P型。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一導電類型功函數調整膜包括Mo、Pd、Ru、Pt、TiN、WN、TaN、Ir、TaC、RuN和MoN中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述界面陷阱密度改進膜包括Al合金膜。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述界面陷阱密度改進膜包括TiAlC膜。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述界面陷阱密度改進膜具有至的厚度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括所述柵極絕緣膜與所述界面陷阱密度改進膜之間的刻蝕防止膜，

其中所述刻蝕防止膜具有至的厚度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括所述第一導電類型功函數調整膜上的第二導電類型功函數調整膜，其中所述第二導電類型與所述第一導電類型不同。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第二導電類型是N型。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第二導電類型功函數調整膜和所述界面陷阱密度改進膜包括相同的材料。

11.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括步驟：

在襯底上形成包括第一溝槽和第二溝槽的絕緣膜；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成界面陷阱密度改進膜，所述界面陷阱密度改進膜改進所述襯底的界面陷阱密度；以及

在所述界面陷阱密度改進膜上形成第一導電類型功函數調整膜。

12.根據權利要求11所述的形成半導體器件的方法，還包括步驟：

在形成所述第一導電類型功函數調整膜之后從所述第二溝槽中去除所述第一導電類型功函數調整膜；以及

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內形成第二導電類型功函數調整膜，其中所述第二導電類型與所述第一導電類型不同。

13.根據權利要求12所述的形成半導體器件的方法，其中當去除了所述第一導電類型功函數調整膜時，防止去除所述第二溝槽內的界面陷阱密度改進膜。

14.根據權利要求12所述的形成半導體器件的方法，其中去除所述第一導電類型功函數調整膜的步驟還包括：

選擇性地去除所述第二溝槽內的界面陷阱密度改進膜。

15.根據權利要求11所述的形成半導體器件的方法，還包括步驟：

在形成所述柵極絕緣膜之后在所述柵極絕緣膜上形成刻蝕防止膜；

在所述刻蝕防止膜上形成第二導電類型功函數調整膜；以及

從所述第一溝槽中選擇性地去除所述第二導電類型功函數調整膜。

16.一種半導體器件，包括：

襯底；

所述襯底上的絕緣膜，所述絕緣膜中包括第一溝槽和第二溝槽；

所述第一溝槽和所述第二溝槽內的柵極絕緣膜；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內的所述柵極絕緣膜上的第一導電類型功函數調整膜；

所述第一溝槽內的第二導電類型功函數調整膜；以及

所述柵極絕緣膜上的界面陷阱密度改進膜，所述界面陷阱密度改進膜改進所述襯底的界面陷阱密度，

其中所述第二溝槽內沒有所述第二導電類型功函數調整膜，其中所述第二導電類型與所述第一導電類型不同，并且其中所述第一導電類型功函數調整膜在所述第一溝槽和所述第二溝槽內的界面陷阱密度改進膜上。