[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器

有效

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• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103943632A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 曹兆鏗;樓均輝
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及平板顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。

背景技術

如圖1所示，為一現有顯示面板1的結構示意圖，包括：顯示區(qū)10，布置在顯示區(qū)10周圍的柵極驅動電路20，顯示區(qū)10下方的IC電路30，位于柵極驅動電路上的膠框區(qū)域（為使附圖清晰顯示，圖中為標記），其中，顯示區(qū)10包括多條柵極和多條數據線圍繞而成的像素單元，各像素單元包含像素電極，通過與一TFT（Thin?film?transistor，薄膜晶體管）進行開關控制，進而顯示圖像。驅動電路20也包括多個TFT，每個TFT與一條不同的柵極或數據線連接，通過TFT的控制，將驅動電壓加載至對應的柵極線或數據線，以實現對柵極或數據線的驅動。

現有驅動電路的TFT結構由于柵極遮擋光通過的原因，存在顯示區(qū)周邊膠框硬化不良的問題。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器。

一種陣列基板，包括顯示區(qū)和設在所述顯示區(qū)周圍的驅動電路，其中，所述驅動電路包含多個TFT，至少一個TFT包括第一子TFT和第二子TFT：所述第一子TFT和第二子TFT之間通過一第一跨橋電連接，其中，所述第一跨橋的的材料為透明導電材料。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法：包括：

步驟A：提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層；

步驟B：在所述柵絕緣層上沉積半導體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極和漏極，且沉積第一透明導電材料，圖案化形成第一跨橋；在所述刻蝕阻擋層、源極、漏極以及第一跨橋上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層，并通過刻蝕工藝形成第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔。

步驟C：在鈍化層上沉積第二透明導電材料，并圖案化形成第一透明導電電極、第二透明導電電極、第三透明導電電極以及第四透明導電電極；其中，所述第一透明導電電極通過所述第一過孔能使源極和第一有源層電連接，所述第二透明導電電極通過所述第二過孔能使第一有源層和第一跨橋電連接，所述第三透明導電電極通過第三過孔能使第二有源層與第一跨橋電連接，所述第四透明導電電極通過第四過孔能使第二有源層與漏極電連接。

本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器，包括：上述任一項的TFT陣列基板。

綜上：采用上述本發(fā)明技術方案得到的陣列基板，可解決采用薄膜晶體管制造柵電極驅動電路時，容易出現封框膠固化不良的問題。

附圖說明

圖1為現有技術一顯示面板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖；

圖3為圖2中AA'位置的橫截面示意圖；

圖4為圖3實施例光透過的效果示意圖；

圖5為制造圖2實施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖；

圖6為本發(fā)明另一實施例薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明另一實施例薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖；

圖8為制造圖7實施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖；

圖9為本發(fā)明另一實施例薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖；

圖10為制造圖9實施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明一實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板柵驅動電路區(qū)域TFT的結構示意圖可以如圖2所示，圖3為圖2中AA’位置的橫截面示意圖，下面結合圖2和圖3對本實施例提供的薄膜晶體管陣列基板進行說明。