[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器

有效

• 申請號: 201310751479.8
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103943632A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 曹兆鏗;樓均輝
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板，包括顯示區和設在所述顯示區周圍的驅動電路，其中，所述驅動電路包含多個TFT，至少一個TFT包括第一子TFT和第二子TFT：

所述第一子TFT和第二子TFT之間通過一第一跨橋電連接，其中，所述第一跨橋的的材料為透明導電材料。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導電材料為ITO或IZO。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包含一基板，所述第一子TFT包含設置在所述基板上的第一柵極，以及第一柵極上方的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上的第一有源層，形成在第一有源層上的刻蝕阻擋層，形成在刻蝕阻擋層上方且分別與所述第一有源層電連接的第一電極以及第二電極，形成在刻蝕阻擋層上方的鈍化層；所述第二子TFT包含設置在所述基板上的第二柵極，以及第二柵極上方的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上的第二有源層，形成在第二有源層上的刻蝕阻擋層，形成在刻蝕阻擋層上方且分別與所述第二有源層電連接的第三電極以及第四電極，形成在刻蝕阻擋層上方的鈍化層，其中，所述基板上的第一柵極和第二柵極形成間隔區域，且所述第一跨橋在垂直方向上與所述間隔區域重疊。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極包含源極以及第一透明導電電極，其中，所述源極與第一有源層通過所述第一透明導電電極電連接；所述第二電極包含第二透明導電電極；所述第四電極包含漏極以及第四透明導電電極，其中，所述漏極與第二有源層通過所述第四透明導電電極電連接；所述第三電極包含第三透明導電電極；其中，所述第二透明導電電極與第三透明導電電極與所述第一跨橋電連接。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明導電電極、第二透明導電電極、第三透明導電電極和第四透明導電電極為同層結構。

6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二透明導電電極、第三透明導電電極與第一跨橋為同層結構，且均位于所述鈍化層的下方。

7.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于：所述第一電極包含與所述第一有源層直接接觸的源極；所述第二電極包含第二透明導電電極；所述第三電極包含第三透明導電電極；所述第四電極包含與所述第二有源層直接接觸的漏極，其中，所述第二透明導電電極、第三透明導電電極與第一跨橋為同層結構。

8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于：所述第二電極還包含位于第一有源層和源極之間的第二金屬層，其中，所述第二透明導電電極通過第二金屬層與所述第一有源層電連接；所述第三電極還包含位于第二有源層和地第三透明導電電極之間的第三金屬層，其中，所述第三透明導電電極通過第三金屬層與所述第二有源層電連接。

9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于：所述第二透明電極、第三透明電極以及第一跨橋形成在所述鈍化層上。

10.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子TFT和第二子TFT的柵絕緣層，刻蝕阻擋層以及鈍化層分別設置為同層結構。

11.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物半導體，或a-Si。

12.一種陣列基板的制造方法：包括：

步驟A：提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層；

步驟B：在所述柵絕緣層上沉積半導體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極和漏極，且沉積第一透明導電材料，圖案化形成第一跨橋；在所述刻蝕阻擋層、源極、漏極以及第一跨橋上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層，并通過刻蝕工藝形成第一過孔、第二過孔、第三過孔以及第四過孔。

步驟C：在鈍化層上沉積第二透明導電材料，并圖案化形成第一透明導電電極、第二透明導電電極、第三透明導電電極以及第四透明導電電極；其中，所述第一透明導電電極通過所述第一過孔能使源極和第一有源層電連接，所述第二透明導電電極通過所述第二過孔能使第一有源層和第一跨橋電連接，所述第三透明導電電極通過第三過孔能使第二有源層與第一跨橋電連接，所述第四透明導電電極通過第四過孔能使第二有源層與漏極電連接。