[發明專利]半導體設備的氦漏告警處理方法及系統

在審

• 申請號: 201310751411.X
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752265A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 潘宇涵
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 陳振

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，特別是涉及一種半導體設備的氦漏告警處理方法及系統。

背景技術

在半導體刻蝕工藝中，為提高產能，一般采用多片晶圓同時刻蝕。即將多片晶圓固定到同一托盤上，然后將托盤放入工藝腔室中的基座上進行刻蝕。由于晶圓的安裝和托盤的固定大多采用人工方式來進行,如若安裝不仔細，經常會出現晶圓與托盤上的安裝槽之間存在一定縫隙，這樣將會導致托盤中充入的氦氣從縫隙中漏出，流入工藝腔室，即發生氦漏，影響工藝效果。所以，在每次刻蝕工藝開始之前，必須檢測托盤的氦漏情況。

目前，在半導體工藝過程中，一旦檢測到托盤發生氦漏，設備會發出氦漏告警消息，則立即終止工藝進行。當設備在自動模式下執行自動任務時，此種情況會導致問題托盤擱淺到工藝腔室中，其他后續托盤也無法進行調度，整個自動任務也相應終止并自動切換到手動模式。這時需要操作人員將問題托盤傳出重新裝片并檢測氦漏，再重新開始一個新的自動任務來進行生產。這種傳統的氦漏告警處理方法效率較低，大大延長了工藝任務完成時間，嚴重影響產率。

發明內容

基于此，有必要針對現有技術的缺陷和不足，提供一種用時短、效率高的半導體設備的氦漏告警處理方法及系統。

為實現本發明目的而提供的半導體設備的氦漏告警處理方法，包括以下步驟：

S100，當檢測到設備發出氦漏告警消息后，暫停工藝，執行預設的自動取片流程，將發生氦漏的托盤從工藝腔室中取出；

S200，在將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后，恢復工藝，控制后續托盤按照既有路徑繼續調度，直至自動任務結束。

其中，所述半導體設備的氦漏告警處理方法還包括以下步驟：

S100’，在暫停工藝后且執行預設的自動取片流程之前，對所述工藝腔室進行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。

其中，所述步驟S100包括以下步驟：

S110，在下位機中創建一個標志所述氦漏告警消息是否發出的數據變量，當檢測到所述氦漏告警消息發出時，所述數據變量的值為true，并暫停工藝；

S120，在所述下位機中，為標記所述工藝腔室的狀態的枚舉變量定義一個預設值，當所述枚舉變量為所述預設值時，所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發出且工藝暫停狀態；

S130，檢測所述枚舉變量,若所述枚舉變量為所述預設值，則判斷所述下位機服務已經終止；

S140，判斷所述下位機服務已經終止后，讀取所述數據變量的值，若所述數據變量的值為true，則執行所述預設的自動取片流程，將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。

其中，所述步驟S100’包括以下步驟：

S110’，在暫停工藝后，調用下位機預設的抽腔室本地真空服務，對所述工藝腔室進行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。

相應地，為實現本發明目的而提供的半導體設備的氦漏告警處理系統，包括告警處理模塊和工藝恢復模塊；

所述告警處理模塊，用于當檢測到設備發出氦漏告警消息后，暫停工藝，執行預設的自動取片流程，將發生氦漏的托盤從工藝腔室中取出；

所述工藝恢復模塊，用于在將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后，恢復工藝，控制后續托盤按照既有路徑繼續調度，直至自動任務結束。

其中，所述半導體設備的氦漏告警處理系統，還包括抽真空模塊：

所述抽真空模塊，用于在暫停工藝后且執行預設的自動取片流程之前，對所述工藝腔室進行抽真空，使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。

其中，所述告警處理模塊包括第一設置單元、第二設置單元、檢測判斷單元以及自動取片單元；

所述第一設置單元，用于在下位機中創建一個標志所述氦漏告警消息是否發出的數據變量，當檢測到所述氦漏告警消息發出時，所述數據變量的值為true，并暫停工藝；

所述第二設置單元，用于在所述下位機中，為標記所述工藝腔室的狀態的枚舉變量定義一個預設值，當所述枚舉變量為所述預設值時，所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發出且工藝暫停狀態；

所述檢測判斷單元，用于檢測所述枚舉變量,若所述枚舉變量為所述預設值，則判斷所述下位機服務已經終止；

所述自動取片單元，用于在判斷所述下位機服務已經終止后，讀取所述數據變量的值，若所述數據變量的值為true，則執行所述預設的自動取片流程，將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。

其中，所述抽真空模塊包括調用單元；