[發明專利]半導體設備的氦漏告警處理方法及系統在審
| 申請號: | 201310751411.X | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104752265A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 潘宇涵 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 陳振 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 告警 處理 方法 系統 | ||
1.一種半導體設備的氦漏告警處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
S100,當檢測到設備發出氦漏告警消息后,暫停工藝,執行預設的自動取片流程,將發生氦漏的托盤從工藝腔室中取出;
S200,在將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后,恢復工藝,控制后續托盤按照既有路徑繼續調度,直至自動任務結束。
2.根據權利要求1所述的半導體設備的氦漏告警處理方法,其特征在于,還包括以下步驟:
S100’,在暫停工藝后且執行預設的自動取片流程之前,對所述工藝腔室進行抽真空,使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。
3.根據權利要求1或2所述的半導體設備的氦漏告警處理方法,其特征在于,所述步驟S100包括以下步驟:
S110,在下位機中創建一個標志所述氦漏告警消息是否發出的數據變量,當檢測到所述氦漏告警消息發出時,所述數據變量的值為true,并暫停工藝;
S120,在所述下位機中,為標記所述工藝腔室的狀態的枚舉變量定義一個預設值,當所述枚舉變量為所述預設值時,所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發出且工藝暫停狀態;
S130,檢測所述枚舉變量,若所述枚舉變量為所述預設值,則判斷所述下位機服務已經終止;
S140,判斷所述下位機服務已經終止后,讀取所述數據變量的值,若所述數據變量的值為true,則執行所述預設的自動取片流程,將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。
4.根據權利要求2所述的半導體設備的氦漏告警處理方法,其特征在于,所述步驟S100’包括以下步驟:
S110’,在暫停工藝后,調用下位機預設的抽腔室本地真空服務,對所述工藝腔室進行抽真空,使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。
5.一種半導體設備的氦漏告警處理系統,其特征在于,包括告警處理模塊和工藝恢復模塊;
所述告警處理模塊,用于當檢測到設備發出氦漏告警消息后,暫停工藝,執行預設的自動取片流程,將發生氦漏的托盤從工藝腔室中取出;
所述工藝恢復模塊,用于在將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出后,恢復工藝,控制后續托盤按照既有路徑繼續調度,直至自動任務結束。
6.根據權利要求5所述的半導體設備的氦漏告警處理系統,其特征在于,還包括抽真空模塊:
所述抽真空模塊,用于在暫停工藝后且執行預設的自動取片流程之前,對所述工藝腔室進行抽真空,使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。
7.根據權利要求5或6所述的半導體設備的氦漏告警處理系統,其特征在于,所述告警處理模塊包括第一設置單元、第二設置單元、檢測判斷單元以及自動取片單元;
所述第一設置單元,用于在下位機中創建一個標志所述氦漏告警消息是否發出的數據變量,當檢測到所述氦漏告警消息發出時,所述數據變量的值為true,并暫停工藝;
所述第二設置單元,用于在所述下位機中,為標記所述工藝腔室的狀態的枚舉變量定義一個預設值,當所述枚舉變量為所述預設值時,所述工藝腔室處于有氦漏告警消息發出且工藝暫停狀態;
所述檢測判斷單元,用于檢測所述枚舉變量,若所述枚舉變量為所述預設值,則判斷所述下位機服務已經終止;
所述自動取片單元,用于在判斷所述下位機服務已經終止后,讀取所述數據變量的值,若所述數據變量的值為true,則執行所述預設的自動取片流程,將所述發生氦漏的托盤從所述工藝腔室中取出。
8.根據權利要求6所述的半導體設備的氦漏告警處理系統,其特征在于,所述抽真空模塊包括調用單元;
所述調用單元,用于在暫停工藝后,調用下位機預設的抽腔室本地真空服務,對所述工藝腔室進行抽真空,使所述工藝腔室的腔室壓力達到本地真空。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





