[發明專利]一種有機器件封裝方法及裝置

在審

• 申請號: 201310750777.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103757607A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 劉鍵;劉杰
• 申請（專利權）人: 劉鍵
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/455
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

技術領域

本發明涉及有機電子學技術領域，具體涉及一種有機器件封裝方法及裝置。

背景技術

有機器件的電極通常為活潑的金屬，其極易被氧化，器件的部分功能材料對水氧也較為敏感，在器件工作時易于與水氧發生電化學反應，從而加速器件老化，降低器件使用壽命。因而需對上述器件進行封裝，使器件的各功能層與大氣中的水汽、氧氣成分隔離。同時封裝層又不能破壞有機器件的柔性。若采用傳統的蓋板剛性封裝對有機器件進行封裝，雖能滿足封裝對水氧滲透率的商業要求（如OLED對水汽的滲透率應低于5×10^-6g·m^-2/d，氧氣的滲透率應低于10^-5cm²·m^-2/d），但剛性封裝使得有機器件失去了柔性的魅力。薄膜封裝通常是指在器件直接形成結構致密的水氧滲透率低的薄膜，從而實現對器件的物理保護和水氧隔離。單一的聚合物薄膜具有柔性，但其致密性較差，防水氧滲透能力較低；SiO₂、SiN、Al₂O₃等無機薄膜雖致密性較高，有較高的防水氧滲透能力，但膜厚增加時則變為剛性結構，剛性薄膜用在柔性封裝中易在器件功能層間產生應力損傷器件性能并且容易產生裂紋，也不適用有機器件的封裝。

發明內容

本發明的目的在于提供一種有機器件封裝方法及裝置，既可以阻止水氧的滲透，又增加了整個器件的柔性，實現有機器件高質量、高效率封裝。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種有機器件封裝方法，包括如下步驟：

采用PECVD的沉積方法，在有機硅前驅體與反應氣體的流量比例固定的條件下，向沉積腔室通入脈沖流量的氬氣；

經過單個脈沖流量的周期，可在有機器件上沉積單個交替結構的薄膜；所述單個交替結構的薄膜為依次沉積在所述有機器件上的成分漸變且無明顯界面的有機層、第一過渡層、無機層和第二過渡層；

進行若干個所述脈沖流量的周期，可實現所述有機器件的薄膜封裝。

進一步地，所述脈沖流量的周期和脈沖持續時間是可調的，所述脈沖流量的周期為1ms～5min，脈沖持續時間為1ms～5min。

進一步地，所述單個交替結構的薄膜厚度為1nm～500nm。

進一步地，所述第一過渡層的厚度根據單個脈沖流量的周期中上升沿的時間進行調整，所述第二過渡層的厚度根據單個脈沖流量的周期中下降沿的時間進行調整，所述無機層的厚度根據單個脈沖流量的周期中峰值流量持續時間進行調整，所述有機層的厚度根據單個脈沖流量的周期中谷值持續時間決定有機層厚度。

一種有機器件封裝裝置，包括PECVD腔室、有機硅前驅體源瓶、反應氣體源瓶和氬氣源瓶，所述有機硅前驅體源瓶、所述反應氣體源瓶和所述氬氣源瓶分別通過管路與所述PECVD腔室的進氣口相連通；所述氬氣源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上設有脈沖閥，所述氬氣源瓶通過所述脈沖閥向所述PECVD腔室中通入脈沖流量的氬氣。

進一步地，所述有機硅前驅體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設有第一普通閥、第一流量計、第二普通閥。

進一步地，所述反應氣體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設有第三普通閥、第二流量計、第四普通閥。

進一步地，所述氬氣源瓶與所述脈沖閥之間的管路上依次設有第五普通閥和第三流量計。

與現有技術方案相比，本發明采用的技術方案產生的有益效果如下：

本發明采用PECVD方法，在有機硅前驅體和反應氣體流量比例固定的前提下，通過通入脈沖流量的氬氣，實現有機器件的多周期微厚度交替結構薄膜封裝，從而實現有機器件的高質量、高效率封裝。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的有機器件封裝方法中單個脈沖周期薄膜性質變化示意圖；

圖2為本發明實施例中梯形脈沖的示意圖；

圖3為本發明實施例中矩形方波形脈沖的示意圖；

圖4為本發明實施例提供的有機器件封裝裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明實施例提供一種有機器件封裝方法，包括如下步驟：