[發(fā)明專利]一種有機器件封裝方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310750777.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103757607A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉鍵;劉杰
• 申請（專利權(quán)）人: 劉鍵
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/455
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種有機器件封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用PECVD的沉積方法，在有機硅前驅(qū)體與反應(yīng)氣體的流量比例固定的條件下，向沉積腔室通入脈沖流量的氬氣；

經(jīng)過單個脈沖流量的周期，可在有機器件上沉積單個交替結(jié)構(gòu)的薄膜；所述單個交替結(jié)構(gòu)的薄膜為依次沉積在所述有機器件上的成分漸變且無明顯界面的有機層、第一過渡層、無機層和第二過渡層；

進行若干個所述脈沖流量的周期，可實現(xiàn)所述有機器件的薄膜封裝。

2.如權(quán)利要求1所述的有機器件封裝方法，其特征在于，所述脈沖流量的周期和脈沖持續(xù)時間是可調(diào)的，所述脈沖流量的周期為1ms～5min，脈沖持續(xù)時間為1ms～5min。

3.如權(quán)利要求1所述的有機器件封裝方法，其特征在于，所述單個交替結(jié)構(gòu)的薄膜厚度為1nm～500nm。

4.如權(quán)利要求1所述的有機器件封裝方法，其特征在于，所述第一過渡層的厚度根據(jù)單個脈沖流量的周期中上升沿的時間進行調(diào)整，所述第二過渡層的厚度根據(jù)單個脈沖流量的周期中下降沿的時間進行調(diào)整，所述無機層的厚度根據(jù)單個脈沖流量的周期中峰值流量持續(xù)時間進行調(diào)整，所述有機層的厚度根據(jù)單個脈沖流量的周期中谷值持續(xù)時間決定有機層厚度。

5.一種有機器件封裝裝置，其特征在于，包括PECVD腔室、有機硅前驅(qū)體源瓶、反應(yīng)氣體源瓶和氬氣源瓶，所述有機硅前驅(qū)體源瓶、所述反應(yīng)氣體源瓶和所述氬氣源瓶分別通過管路與所述PECVD腔室的進氣口相連通；所述氬氣源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上設(shè)有脈沖閥，所述氬氣源瓶通過所述脈沖閥向所述PECVD腔室中通入脈沖流量的氬氣。

6.如權(quán)利要求5所述的有機器件封裝裝置，其特征在于，所述有機硅前驅(qū)體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設(shè)有第一普通閥、第一流量計、第二普通閥。

7.如權(quán)利要求1所述的有機器件封裝裝置，其特征在于，所述反應(yīng)氣體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設(shè)有第三普通閥、第二流量計、第四普通閥。

8.如權(quán)利要求1所述的有機器件封裝裝置，其特征在于，所述氬氣源瓶與所述脈沖閥之間的管路上依次設(shè)有第五普通閥和第三流量計。