[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310750605.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103985714B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L23/538;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器（Liquid?Crystal?Display，LCD）是一種采用液晶材料制作的顯示器，具有輕薄、功耗小、顯示信息量大等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)、電子記事本、移動(dòng)電話、攝像機(jī)、高清電視機(jī)等電子設(shè)備的顯示裝置。由于液晶自身不發(fā)光，也無法依賴自然光采光，因此必須采用背光源以獲得穩(wěn)定、清晰地顯示。液晶顯示裝置的原理是，在電場作用下，液晶分子的排列會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而影響通過其的光線變化，這種光線的變化通過偏光片的作用可以表現(xiàn)為明暗的變化。因此，人們通過對(duì)電場的控制最終控制了光線的明暗變化，從而達(dá)到顯示圖像的目的。

根據(jù)液晶分子轉(zhuǎn)向后的排列方式分類，常見的液晶顯示器可以分為：窄視角的扭曲向列（Twisted?Nematic-LCD，TN-LCD）、超扭曲向列（Super?Twisted?Nematic-LCD，STN-LCD）、雙層超扭曲向列（Double?Layer?STN-LCD，DSTN-LCD）；寬視角的橫向電場切換方式（In-Plane?Switching，IPS）、邊界電場切換技術(shù)（Fringe?Field?Switching，F(xiàn)FS）和多域垂直配向技術(shù)（Multi-Domain?Vertical?Alignment，MVA）等。其中，目前市場上最主流的液晶顯示器采用的模式是TN型，但TN型液晶顯示器在視角方面有天然痼疾，即使增加一層廣視角補(bǔ)償膜，仍無法滿足廣視角的要求。為此，許多公司都研發(fā)相關(guān)的廣視角技術(shù)，F(xiàn)FS就是其中頗具優(yōu)勢的一種。

現(xiàn)有的FFS顯示模式液晶顯示器包括：陣列基板、與陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板、以及夾合于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層；所述陣列基板包括多個(gè)像素電極（pixel?ITO）、公共電極（Com?ITO）。公共電極與像素電極之間形成邊緣場效應(yīng)，驅(qū)動(dòng)液晶層內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)向。具體的，請(qǐng)參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的俯視示意圖。所述陣列基板包括：基板（圖1中未示出）；位于所述基板上的掃描線10；位于所述掃描線10上的像素電極12和數(shù)據(jù)線11；位于所述像素電極12和數(shù)據(jù)線11上的公共電極13，其中，所述公共電極13和像素電極12、數(shù)據(jù)線11之間通過絕緣層（圖1中未示出）相隔離。

現(xiàn)有技術(shù)中，數(shù)據(jù)線11通常通過第二層金屬層形成，緊接著通過透明導(dǎo)電層形成像素電極12，因此，數(shù)據(jù)線11和像素電極12可以認(rèn)為位于同一層。公共電極13和數(shù)據(jù)線11之間通過絕緣層隔離，為了降低數(shù)據(jù)線11的功耗，需要將公共電極13和數(shù)據(jù)線11之間的絕緣層做到5000埃以上，由此將增加工藝難度。此外，由于公共電極13和數(shù)據(jù)線11之間的絕緣層為5000埃以上，也就導(dǎo)致了公共電極13和像素電極12之間的絕緣層為5000埃以上，兩者之間的絕緣層厚度過大，將導(dǎo)致液晶層的操作電壓很高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，其中，所述陣列基板包括：

基板；

位于所述基板上的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括多條掃描線以及與所述多條掃描線絕緣交叉的多條數(shù)據(jù)線，每一數(shù)據(jù)線被所述多條掃描線分成多段，形成多個(gè)數(shù)據(jù)線段；

位于所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括多個(gè)刻蝕阻擋圖形，所述刻蝕阻擋圖形覆蓋所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處的掃描線；

位于所述刻蝕阻擋層上的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括一個(gè)或者多個(gè)連接線段；

其中，所述陣列基板還包括多個(gè)過孔，所述過孔位于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉處，并至少暴露出所述數(shù)據(jù)線段的一部分以及所述刻蝕阻擋圖形一部分，所述連接線段通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線段電連接。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：

基板；

位于所述基板上的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括多條掃描線以及與所述多條掃描線絕緣交叉的多條數(shù)據(jù)線，每一數(shù)據(jù)線被所述多條掃描線分成多段，形成多個(gè)數(shù)據(jù)線段；

位于所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括多個(gè)刻蝕阻擋圖形，所述刻蝕阻擋圖形覆蓋所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處的掃描線；

位于所述刻蝕阻擋層上的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括一個(gè)或者多個(gè)連接線段；