[發明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310750605.8
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103985714B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 丁洪
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/538;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的第一導電層，所述第一導電層包括多條掃描線以及與所述多條掃描線絕緣交叉的多條數據線，每一數據線被所述多條掃描線分成多段，形成多個數據線段；

位于所述第一導電層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括多個刻蝕阻擋圖形，所述刻蝕阻擋圖形覆蓋所述掃描線和數據線交叉處的掃描線；

位于所述刻蝕阻擋層上的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層上的第二導電層，所述第二導電層包括一個或者多個連接線段；

其中，所述陣列基板還包括多個過孔，所述過孔位于所述掃描線與所述數據線交叉處，并至少暴露出所述數據線段的一部分以及所述刻蝕阻擋圖形一部分，所述連接線段通過所述過孔與所述數據線段電連接。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描線與所述數據線交叉處具有兩個所述過孔，其中一個過孔暴露出一數據線段的一部分以及所述刻蝕阻擋圖形的一部分；另一個過孔暴露出另一數據線段的一部分以及所述刻蝕阻擋圖形的一部分。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為導電材料，每一個過孔中的連接線段與所述刻蝕阻擋圖形電連接。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為非導電材料，所述兩個過孔中的兩個連接線段電連接。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氮化硅和/或氧化硅。

6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電層為透明導電層或金屬。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電層還包括公共電極。

8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括第三導電層，所述第三導電層位于所述第二絕緣層上，所述第三導電層包括像素電極；或者，所述第二導電層還包括與所述公共電極位于同一層的像素電極。

9.一種陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的第一導電層，所述第一導電層包括多條掃描線以及與所述多條掃描線絕緣交叉的多條數據線，每一數據線被所述多條掃描線分成多段，形成多個數據線段；

位于所述第一導電層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層包括多個刻蝕阻擋圖形，所述刻蝕阻擋圖形覆蓋所述掃描線和數據線交叉處的掃描線；

位于所述刻蝕阻擋層上的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層上的第二導電層，所述第二導電層包括一個或者多個連接線段；

其中，所述陣列基板還包括多個過孔，所述過孔位于所述掃描線與所述數據線交叉處，并暴露出相鄰的兩個所述數據線段各自的至少一部分以及所述刻蝕阻擋圖形的至少一部分，所述連接線段通過所述過孔將所述相鄰的兩個數據線段電連接。

10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為非導電材料，所述刻蝕阻擋層上的所述連接線段電連接。

11.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為金屬，所述刻蝕阻擋層還包括薄膜晶體管的源漏電極。

12.如權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層上的所述連接線段斷開或者連接。

13.如權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層與所述連接線段之間具有第二絕緣層。

14.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氮化硅和/或氧化硅。

15.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電層為透明導電層或金屬。

16.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導電層還包括公共電極。

17.如權利要求16所述的陣列基板，其特征在于，還包括第三導電層，所述第三導電層位于所述第二絕緣層上，所述第二導電層形成了像素電極，所述像素電極與所述公共電極位于同一層或者不同層。