[發(fā)明專利]AMOLED陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310750209.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103700694A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 永山和由
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種AMOLED陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

對于頂發(fā)射的AMOLED顯示裝置，陰極采用透明電極（如：ITO）形成，而且是一整塊覆蓋在陣列基板上的塊狀電極。如圖1a和1b所示，陣列基板結(jié)構(gòu)由下至上依次包括：襯底基板110、柵金屬層120、柵絕緣層130、源漏電極層140、鈍化層150、陰極引線160、像素定義層170及陰極180。其中，陰極引線160為金屬材料，用于將陰極180連接在外部信號，通常位于陣列基板上的非顯示區(qū)域（即非A-A區(qū)），由于金屬與像素定義層170的附著力差，因此在顯示面板邊緣處陰極引線160和像素定義層170的層之間容易被水氧侵蝕，水氧侵蝕到里面，會導(dǎo)致有機發(fā)光材料受到影響。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：如何避免顯示面板邊緣處被水氧侵蝕。

（二）技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種AMOLED陣列基板，包括在襯底基板上以陣列形式形成的若干像素結(jié)構(gòu)，所述每個像素結(jié)構(gòu)由柵線及與所述柵線均垂直的信號線和電源線圍成，所述每個像素結(jié)構(gòu)包括：薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陽極、陰極及陽極和陰極之間的有機發(fā)光層，所述陽極位于每個像素結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域，陰極為覆蓋整個陣列基板的透明電極，還包括：與信號線平行的第一陰極輔助線，所述第一陰極輔助線至少通過兩個第一過孔連接所述陰極，述第一陰極輔助線的至少一端延伸至所述陣列基板邊緣，用于將所述陰極連接至外部的陰極信號電路。

其中，所述第一過孔位于所述第一陰極輔助線與柵線相交的區(qū)域。

其中，還包括與陽極同層形成且位于柵線對應(yīng)區(qū)域的第二陰極輔助線，所述第二陰極輔助線通過所述第一過孔連接所述第一陰極輔助線。

其中，還包括與所述柵線平行的第三陰極輔助線，所述點狀第一過孔位于第一陰極輔助線與所述第三陰極輔助線相交的區(qū)域，所述第一陰極輔助線通過設(shè)置在所述點狀第一過孔對應(yīng)區(qū)域的至少兩個第二過孔與所述第三陰極輔助線連接，所述第三陰極輔助線的至少一端延伸至所述陣列基板邊緣。

其中，還包括與陽極同層形成且位于柵線對應(yīng)區(qū)域的第四陰極輔助線，所述第四陰極輔助線通過所述第一過孔連接所述第一陰極輔助線。

其中，還包括與陽極同層形成且位于第三陰極輔助線對應(yīng)區(qū)域的第四陰極輔助線，所述第四陰極輔助線通過所述第一過孔連接所述第一陰極輔助線。

其中，還包括與陽極同層形成且位于第三陰極輔助線與所述第一陰極輔助線交叉區(qū)域的連接電極，所述連接電極通過所述第一過孔連接所述第一陰極輔助線。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的AMOLED陣列基板。

（三）有益效果

本發(fā)明中，陰極通過第一陰極輔助線連接至陣列基板邊緣，避免了在邊緣處陰極引線的金屬層與像素定義層的接觸導(dǎo)致的水氧侵蝕。

附圖說明

圖1a是現(xiàn)有技術(shù)的一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b是現(xiàn)有技術(shù)的一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)邊緣處的截面示意圖；

圖2a是本發(fā)明實施例的一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b圖2a中AMOLED陣列基板沿A-A的截面示意圖；

圖3a是本發(fā)明實施例的另一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b圖3a中AMOLED陣列基板沿A-A的截面示意圖；

圖4a是本發(fā)明實施例的又一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b圖4a中AMOLED陣列基板沿A-A的截面示意圖；

圖4c是本發(fā)明實施例的又一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4d是本發(fā)明實施例的又一種AMOLED陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4e圖4d中AMOLED陣列基板沿A-A的截面示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。