[發(fā)明專利]AMOLED陣列基板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310750209.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103700694A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 永山和由 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | amoled 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種AMOLED陣列基板,包括在襯底基板上以陣列形式形成的若干像素結(jié)構(gòu),所述每個(gè)像素結(jié)構(gòu)由柵線及與所述柵線均垂直的信號(hào)線和電源線圍成,所述每個(gè)像素結(jié)構(gòu)包括:薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陽(yáng)極、陰極及陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層,所述陽(yáng)極位于每個(gè)像素結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的區(qū)域,陰極為覆蓋整個(gè)陣列基板的透明電極,其特征在于,還包括:與信號(hào)線平行的第一陰極輔助線,所述第一陰極輔助線至少通過(guò)兩個(gè)點(diǎn)狀第一過(guò)孔連接所述陰極,所述第一陰極輔助線的至少一端延伸至所述陣列基板邊緣,用于將所述陰極連接至外部的陰極信號(hào)電路。
2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔位于所述第一陰極輔助線與柵線相交的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,還包括與陽(yáng)極同層形成且位于柵線對(duì)應(yīng)區(qū)域的第二陰極輔助線,所述第二陰極輔助線通過(guò)所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔連接所述第一陰極輔助線。
4.如權(quán)利要求1所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,還包括與所述柵線平行的第三陰極輔助線,所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔位于第一陰極輔助線與所述第三陰極輔助線相交的區(qū)域,所述第一陰極輔助線通過(guò)設(shè)置在所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的至少兩個(gè)點(diǎn)狀第二過(guò)孔與所述第三陰極輔助線連接,所述第三陰極輔助線的至少一端延伸至所述陣列基板邊緣。
5.如權(quán)利要求4所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,還包括與陽(yáng)極同層形成且位于柵線對(duì)應(yīng)區(qū)域的第四陰極輔助線,所述第四陰極輔助線通過(guò)所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔連接所述第一陰極輔助線。
6.如權(quán)利要求4所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,還包括與陽(yáng)極同層形成且位于第三陰極輔助線對(duì)應(yīng)區(qū)域的第四陰極輔助線,所述第四陰極輔助線通過(guò)所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔連接所述第一陰極輔助線。
7.如權(quán)利要求4所述的AMOLED陣列基板,其特征在于,還包括與陽(yáng)極同層形成且位于第三陰極輔助線與所述第一陰極輔助線交叉區(qū)域的連接電極,所述連接電極通過(guò)所述點(diǎn)狀第一過(guò)孔連接所述第一陰極輔助線。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的AMOLED陣列基板。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





