[發明專利]一種隔離窗固定結構以及腔室在審
| 申請號: | 201310749675.1 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104752260A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 武學偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 隔離 固定 結構 以及 | ||
本發明提供一種隔離窗固定結構,用于將所述隔離窗固定設置在腔室上方,所述隔離窗固定結構包括固定件,所述固定件包括第一固定部和設置在所述第一固定部外沿的第二固定部,所述第二固定部用于固定設置在所述腔室的側壁上,所述第一固定部用于設置在所述隔離窗上方并與所述隔離窗固定連接。相應地,本發明還提供一種腔室。本發明避免了現有技術中隔離窗可能在豎直方向移動發生碰撞導致破裂的問題。同時,本發明中隔離窗固定設置在第一固定部的下方,避免了隔離窗受到壓力后過度擠壓其下方的部件。此外,本發明還能促進隔離窗的散熱,能夠進一步保護隔離窗。
技術領域
本發明涉及半導體設備制造領域,尤其涉及一種隔離窗固定結構以及腔室。
背景技術
在半導體生產過程中,去氣腔室(Degas腔室)用于對晶片加溫,使得附著在晶片上面的有機物和水汽等雜志揮發,以實現清潔晶片的目的。
現有的去氣腔室結構通常如圖1所示,在腔室1和紅外加熱燈2之間設置了石英窗3進行隔離,以保證腔室1內的密封性,在腔室1的側壁6上方設置有樹脂墊塊4,該樹脂墊塊4和腔室1的側壁6共同支撐石英窗3。通常,腔室1內為真空環境,將晶片從腔室外傳遞至加熱器5上后,向腔室1內充氣,使得腔室的氣壓為10托左右,之后,對晶片進行加熱以去除雜質,加熱結束后,將腔室1內的氣體抽出,使得腔室1內重新達到真空狀態。
在上述充氣以及抽真空的過程中,石英窗3會反復承受由于腔室1內氣壓變化導致的交變壓力。由于上述現有的結構中石英窗3在豎直方向上沒有被固定,使得石英窗3受到交變壓力作用會在豎直方向上運動,尤其在抽真空的過程中,由于腔室上方的大氣壓力,石英窗3會承受較大的下壓力而向下移動,導致與樹脂墊塊4和/或腔室1的側壁6發生碰撞,可能導致石英窗3破裂。同時,加熱過程中,石英窗3的溫度升高,可能導致樹脂墊塊4軟化變形,使得石英窗3受力不均,容易造成石英窗3破碎。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種隔離窗固定結構以及腔室,以避免隔離窗在豎直方向上運動發生碰撞后導致隔離窗破裂。
為實現上述目的,本發明提供一種隔離窗固定結構,用于將所述隔離窗固定設置在腔室上方,所述隔離窗固定結構包括固定件,所述固定件包括第一固定部和設置在所述第一固定部外沿的第二固定部,所述第二固定部用于固定設置在所述腔室的側壁上,所述第一固定部用于設置在所述隔離窗上方并與所述隔離窗固定連接。
優選地,所述隔離窗固定結構還包括墊圈和第一緊固件,所述第一固定部下表面設置有第一安裝孔,所述墊圈上設置有第二安裝孔,所述墊圈用于設置在所述隔離窗的下表面,所述第一緊固件用于穿過所述的第二安裝孔和預設在所述隔離窗上的通孔安裝在所述第一安裝孔中,以將所述墊圈、所述隔離窗與所述第一固定部連接。
優選地,所述墊圈由銅材制成。
優選地,所述隔離窗固定結構還包括緩沖件,所述緩沖件能夠設置在所述墊圈和所述隔離窗之間。
優選地,所述固定件由金屬材料制成。
優選地,所述固定件中設置有冷卻水路,所述冷卻水路用于通入冷卻水。
相應地,本發明還提供一種腔室,所述腔室上方設置有隔離窗,所述腔室還包括上述本發明所提供的隔離窗固定結構,所述固定件的第一固定部設置在所述隔離窗上方并與所述隔離窗固定連接,所述固定件的第二固定部固定設置在所述腔室的側壁上。
優選地,所述隔離窗上設置有通孔,所述隔離窗固定結構還包括墊圈和第一緊固件,所述第一固定部下表面設置有第一安裝孔,所述墊圈上設置有第二安裝孔,所述墊圈設置在所述隔離窗下表面,所述第一緊固件穿過所述第二安裝孔和所述通孔安裝在所述第一安裝孔中,以將所述墊圈、所述隔離窗與所述固定件連接。
優選地,所述第一固定部的下表面與所述隔離窗的上表面之間設置有第一密封圈。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





