[發明專利]一種晶硅太陽能電池新型正面電極有效
| 申請號: | 201310749424.3 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103700716A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮 | 申請(專利權)人: | 秦廣飛 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 張貴賓 |
| 地址: | 274300 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 新型 正面 電極 | ||
??
技術領域
本發明涉及晶硅太陽能電池領域,特別涉及一種晶硅太陽能電池新型正面電極。?
背景技術
傳統太陽能電池制備工藝所制備出的太陽能電池正面電極是采用絲網印刷的方式把純度為80%的銀漿印刷到電池片的N型面,由于傳統漿料的主要原料為銀,其余為玻璃料和醇組成,在印刷完后通過燒結溫度840℃時達到共晶點,形成Ag-Si合金,由于硅缺乏柔韌性,極容易產生微裂紋或碎片,絲網印刷的電極在電池片產生微裂紋或碎片后,無法繼續收集電流,導致電池片部分失效或報廢。?
發明內容
本發明針對上述問題,提供了一種加工工藝簡便,晶硅電池片產生微裂紋或碎片仍能收集電流的晶硅太陽能電池新型正面電極。?
一種晶硅太陽能電池新型正面電極,其特征是:所述新型正面電極位于晶硅電池n型面的刻槽內,為Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極,以銅為基質,銀與鎳等作為添加元素,所述刻槽寬度d為45μm。?
所述刻槽采用激光鐳射制備,鐳射深度根據n型層的方阻決定,這樣部分新型正面電極埋入在n型層內部,增加了接受電流的面積,減少了體電阻。?
所述Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極采用無電鍍法制備,制備出的新型正面電極由于物理強度提高且沒有與硅本體形成合金,所以在晶硅電池片產生裂紋以后不會斷開,可以繼續起到收集電流的作用。?
本發明的有益效果是:本發明采用的Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極,選擇了能大大提高合金強度、降低體電阻率、提高抗氧化性能的銀與鎳等作為添加元素;與銀硅合金相比,可節約白銀40%以上,顯著降低成本,且Cu-Ag-Ni系低銀導電合金加工工藝簡便,適用于大批量生產;經測試采用新型電極的電池片電性能有較大提高,主要體現在開路電壓和串聯電阻的降低,填充因子也有所提高。?
附圖說明
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。?
附圖1為現有技術制備的晶硅太陽能電池正面電極斷裂結構示意圖;?
附圖2為本發明一種晶硅太陽能電池新型正面電極的使用結構示意圖;
附圖3為本發明一種晶硅太陽能電池新型正面電極在電池片斷裂時的放大示意圖。
圖中,1新型正面電極,2刻槽,3裂縫。?
具體實施方式
附圖為本發明的一種具體實施例。該晶硅太陽能電池新型正面電極,其特征是:所述新型正面電極1位于晶硅電池n型面的刻槽2內,為Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極,以銅為基質,銀與鎳等作為添加元素,所述刻槽2寬度d為45μm,僅為傳統電極寬度的四分之三;刻槽2采用激光鐳射制備,鐳射深度根據n型層的方阻決定,這樣部分新型正面電極1埋入在n型層內部,增加了接受電流的面積,減少了體電阻;所述Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極采用無電鍍法制備,制備出的新型正面電極1由于物理強度提高且沒有與硅本體形成合金,所以在晶硅電池片產生裂縫3以后不會斷開,可以繼續起到收集電流的作用。本發明與銀硅合金相比,節約白銀40%以上,顯著降低了成本;低銀合金加工工藝簡便,適用于大批量生產;經測試采用新型電極的電池片電性能有較大提高,主要體現在開路電壓和串聯電阻的降低,填充因子也有所提高。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于秦廣飛,未經秦廣飛許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310749424.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種在線監控光鹵石分解過程的系統
- 下一篇:經紗導送裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





