[發明專利]一種晶硅太陽能電池新型正面電極有效
| 申請號： | 201310749424.3 | 申請日： | 2013-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103700716A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮 | 申請（專利權）人： | 秦廣飛 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 張貴賓 |
| 地址： | 274300 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 新型 正面 電極 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶硅太陽能電池新型正面電極，其特征是：所述新型正面電極(1)位于晶硅電池n型面的刻槽(2)內，為Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極，以銅為基質，銀與鎳等作為添加元素，所述刻槽(2)寬度d為45μm。
2.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池新型正面電極，其特征是:所述刻槽(2)采用激光鐳射制備。
3.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池新型正面電極，其特征是:所述Cu-Ag-Ni系低銀導電合金電極采用無電鍍法制備。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
