[發(fā)明專利]一種晶硅太陽(yáng)能電池新型正面電極有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310749424.3 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103700716A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 秦廣飛 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人： | 張貴賓 |
| 地址： | 274300 山東*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽(yáng)能電池 新型 正面 電極 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種晶硅太陽(yáng)能電池新型正面電極，其特征是：所述新型正面電極(1)位于晶硅電池n型面的刻槽(2)內(nèi)，為Cu-Ag-Ni系低銀導(dǎo)電合金電極，以銅為基質(zhì)，銀與鎳等作為添加元素，所述刻槽(2)寬度d為45μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽(yáng)能電池新型正面電極，其特征是:所述刻槽(2)采用激光鐳射制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽(yáng)能電池新型正面電極，其特征是:所述Cu-Ag-Ni系低銀導(dǎo)電合金電極采用無(wú)電鍍法制備。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
