[發明專利]一種花狀分級結構ZnO/SnO2納米復合氣敏材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310749356.0
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN103776870A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 孫廣;李彥偉;戚鳳曉;張賽賽;曹建亮;王燕;付烏有;孟哈日巴拉;張戰營
• 申請（專利權）人: 河南理工大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120
• 代理人: 張燕

1.一種花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料的制備方法，其特征在于：其具體制備步驟為：

步驟一、將氫氧化鈉水溶液，在電磁攪拌下滴加到十六烷基三甲基溴化銨和二水氯化亞錫的乙醇溶液中，滴加完畢后繼續電磁攪拌10-20?分鐘，制備出前驅體溶液，備用；其中所述氫氧化鈉、十六烷基三甲基溴化銨和二水氯化亞錫的摩爾比為3:1:1，水和乙醇的體積比為1:7-1:10；

步驟二、將上述步驟一所制備的前驅體溶液裝入反應釜中，在130℃下反應12-24小時；然后將反應物取出進行離心，將離心所得沉淀依次經乙醇和去離子水洗滌后，然后進行干燥，獲得花狀氧化亞錫犧牲模板，備用；

步驟三、按照二水乙酸鋅與上述步驟二獲得的氧化亞錫犧牲模板中氧化亞錫的摩爾比為0.1-0.3:1，取二水乙酸鋅，溶入到其質量5-10倍的去離子水或乙醇中，得到乙酸鋅溶液，備用；

步驟四、將上述步驟二所制備的花狀氧化亞錫犧牲模板加入上述步驟三所制備的乙酸鋅溶液中，然后依次經攪拌和超聲處理后，去除溶劑，得到ZnO/SnO₂前驅體，備用；

步驟五、將上述步驟三所得ZnO/SnO₂前驅體在700℃的空氣氣氛中熱處理2-4小時后，得到花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料。

2.如權利要求1所述的花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟四所述的去除溶劑方法為，低溫加熱蒸發或減壓蒸餾法。

3.如權利要求1所述的花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟四中所述超聲處理的時間為5-20分鐘。

4.如權利要求1所述的花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料的制備方法，其特征在于：步驟四中所述攪拌的轉速為4000r/min，時間為5-20分鐘。

5.如權利要求1所述的方法制備的花狀分級結構ZnO/SnO₂納米復合氣敏材料，其特征在于：所述復合氣敏材料由片狀二氧化錫和氧化鋅納米微粒復合構成，氧化鋅所占的質量百分比含量為5-15%，所述片狀二氧化錫組裝成花狀，氧化鋅納米微粒均勻生長在片狀二氧化錫形成的花瓣上，其中氧化鋅納米微粒的尺寸為10～30納米。