[發明專利]一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法有效
| 申請號: | 201310748935.3 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103803981A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 買智勇;梁西正;梁貴振;楊正宏;呂春長;魏志勇;張強;劉俊杰;方國輝 | 申請(專利權)人: | 平頂山易成新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/565 | 分類號: | C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司: | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 張燕 |
| 地址: | 467013 河南省平頂*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 微米 碳化硅 方法 | ||
1.一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟一、取碳化硅原料,原料中SiC含量不小于70%,D50≤8μm,向原料中加水至碳化硅質量濃度為20%-80%,攪拌均勻后靜置15-25min,然后除去漂浮在液面上的雜質,得到碳化硅粉體料漿,備用;
步驟二、向步驟一得到的碳化硅粉體料漿中分別加入其重量0.5‰-5‰的發泡劑和分散劑,攪拌均勻后加入到浮選設備中進行物理提純,將物理提純得到物料加入到研磨設備中,研磨5-15min后將物料轉移到與研磨設備內部連通的中轉容器中,再次浮選并刮除表面的黑色物質,然后再轉入研磨容器中繼續研磨、浮選和刮除黑色物質的操作,直至研磨得到的碳化硅的D50為0.5±0.25μm,其中研磨介質為粒徑為0.5-5mm的磨料,研磨結束即得到碳化硅細粉漿料,備用;
步驟三、將步驟二得到的碳化硅細粉漿料輸送至堿性提純反應釜內,并加入其重量1-20%的堿性物質,在溫度不低于50℃的條件下加熱2h以上,加熱結束后將料漿輸送至中和池,控制料漿的pH≤8,得到堿處理過的漿料,備用;
步驟四、將步驟三堿處理過的漿料輸送至酸性提純反應釜內,加入其重量1-15%的混合酸,在常溫條件下提純2h以上,提純結束后將料漿輸送至中和池,控制料漿的pH為5-8,得到酸處理過的漿料,備用;
步驟五、將步驟四得到的酸處理過的漿料輸送至中轉儲存容器中,加入其重量0.001-0.9%的烘干分散助劑,攪拌均勻后沉淀10h以上,沉淀結束后排出上清液,并將得到的沉淀通過板框式壓濾機進行壓濾,得到濾餅,備用;
步驟六、將步驟五得到的濾餅裝入托盤,加入到非流化床類干燥設備中,干燥至水分含量不超過0.03%,取出干燥物料置于破團粉碎機中粉碎,然后過3000目濾網,得到的碳化硅粉體在干燥環境中保存或分裝,即完成亞微米級碳化硅粉體的制備。
2.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟一所述的水為電導率≤100的純凈水。
3.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟二所述的發泡劑為十二烷基硫酸鈉類發泡劑,分散劑為無機分散劑。
4.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:所述的步驟二中研磨采用的設備為立式研磨機或者臥式研磨機。
5.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟二所述的磨料為國家磨料磨具范圍內任意2-5種磨料按照等比例混合而成。
6.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟三所述的堿性物質為氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋇三種物質分別按照碳化硅細粉漿料重量的0.3-7%混合得到的混合物。
7.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟四所述的混合酸為硫酸、鹽酸、氫氟酸、硝酸和高氯酸中的任意2種或3種分別按照堿處理過的漿料重量的0.5-5%混合而成。
8.如權利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,其特征在于:步驟五所述的烘干分散助劑為無機分散劑。
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