[發(fā)明專利]一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310748935.3
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103803981A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 買智勇;梁西正;梁貴振;楊正宏;呂春長;魏志勇;張強;劉俊杰;方國輝
• 申請（專利權(quán)）人: 平頂山易成新材料股份有限公司
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/626
• 代理公司: 洛陽公信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 41120
• 代理人: 張燕

1.一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一、取碳化硅原料，原料中SiC含量不小于70%，D50≤8μm，向原料中加水至碳化硅質(zhì)量濃度為20%-80%，攪拌均勻后靜置15-25min，然后除去漂浮在液面上的雜質(zhì)，得到碳化硅粉體料漿，備用；

步驟二、向步驟一得到的碳化硅粉體料漿中分別加入其重量0.5‰-5‰的發(fā)泡劑和分散劑，攪拌均勻后加入到浮選設(shè)備中進行物理提純，將物理提純得到物料加入到研磨設(shè)備中，研磨5-15min后將物料轉(zhuǎn)移到與研磨設(shè)備內(nèi)部連通的中轉(zhuǎn)容器中，再次浮選并刮除表面的黑色物質(zhì)，然后再轉(zhuǎn)入研磨容器中繼續(xù)研磨、浮選和刮除黑色物質(zhì)的操作，直至研磨得到的碳化硅的D50為0.5±0.25μm，其中研磨介質(zhì)為粒徑為0.5-5mm的磨料，研磨結(jié)束即得到碳化硅細(xì)粉漿料，備用；

步驟三、將步驟二得到的碳化硅細(xì)粉漿料輸送至堿性提純反應(yīng)釜內(nèi)，并加入其重量1-20%的堿性物質(zhì)，在溫度不低于50℃的條件下加熱2h以上，加熱結(jié)束后將料漿輸送至中和池，控制料漿的pH≤8，得到堿處理過的漿料，備用；

步驟四、將步驟三堿處理過的漿料輸送至酸性提純反應(yīng)釜內(nèi)，加入其重量1-15%的混合酸，在常溫條件下提純2h以上，提純結(jié)束后將料漿輸送至中和池，控制料漿的pH為5-8，得到酸處理過的漿料，備用；

步驟五、將步驟四得到的酸處理過的漿料輸送至中轉(zhuǎn)儲存容器中，加入其重量0.001-0.9%的烘干分散助劑，攪拌均勻后沉淀10h以上，沉淀結(jié)束后排出上清液，并將得到的沉淀通過板框式壓濾機進行壓濾，得到濾餅，備用；

步驟六、將步驟五得到的濾餅裝入托盤，加入到非流化床類干燥設(shè)備中，干燥至水分含量不超過0.03%，取出干燥物料置于破團粉碎機中粉碎，然后過3000目濾網(wǎng)，得到的碳化硅粉體在干燥環(huán)境中保存或分裝，即完成亞微米級碳化硅粉體的制備。

2.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟一所述的水為電導(dǎo)率≤100的純凈水。

3.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟二所述的發(fā)泡劑為十二烷基硫酸鈉類發(fā)泡劑，分散劑為無機分散劑。

4.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：所述的步驟二中研磨采用的設(shè)備為立式研磨機或者臥式研磨機。

5.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟二所述的磨料為國家磨料磨具范圍內(nèi)任意2-5種磨料按照等比例混合而成。

6.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟三所述的堿性物質(zhì)為氫氧化鈉、氫氧化鉀和氫氧化鋇三種物質(zhì)分別按照碳化硅細(xì)粉漿料重量的0.3-7%混合得到的混合物。

7.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟四所述的混合酸為硫酸、鹽酸、氫氟酸、硝酸和高氯酸中的任意2種或3種分別按照堿處理過的漿料重量的0.5-5%混合而成。

8.如權(quán)利要求1所述的一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法，其特征在于：步驟五所述的烘干分散助劑為無機分散劑。