[發(fā)明專利]一種太陽能擴散選擇性發(fā)射極的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310748311.1
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103700730A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮
• 申請（專利權(quán)）人: 秦廣飛
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218
• 代理人: 張貴賓

1.一種太陽能擴散選擇性發(fā)射極的制備方法，包含以下步驟：首先對硅片進行激光制絨處理；然后在制絨后的硅片表面電極柵線網(wǎng)狀區(qū)域中印刷高濃度磷漿；再在充滿POCL3的氛圍中進行短時間擴散，先通3-5min的攜源氣體，關(guān)閉氣源后再繼續(xù)進行擴散；印刷磷漿的區(qū)域形成高參雜深擴散區(qū)，未印刷磷漿的區(qū)域形成低參雜淺擴散區(qū)，選擇性發(fā)射極制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能擴散選擇性發(fā)射極的制備方法，其特征是：在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65μm。