[發明專利]一種太陽能擴散選擇性發射極的制備方法

無效

• 申請號: 201310748311.1
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103700730A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮
• 申請（專利權）人: 秦廣飛
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 張貴賓

?

技術領域

本發明涉及太陽能電池領域，特別涉及一種太陽能擴散選擇性發射極的制備方法。

背景技術

隨著化石能源的日益減少，太陽能等綠色能源成為人們研究的熱點，目前太陽能行業的發展方向是低成本，高效率，尤其是對晶硅電池而言，如何進一步提高電池的效率并降低成本是目前的一大難題，而擴散選擇性發射極結構是晶體硅電池生產工藝中能實現高效率低成本的方法之一，但是這種技術目前還存在一些缺陷。

發明內容

本發明針對上述問題，提供了一種工藝簡單、易于實現的太陽能擴散選擇性發射極的制備方法。

本發明是通過如下技術方案實現的：

一種太陽能擴散選擇性發射極的制備方法，包含以下步驟：首先對硅片進行激光制絨處理；然后在制絨后的硅片表面電極柵線網狀區域中印刷高濃度磷漿；再在充滿POCL3的氛圍中進行短時間擴散，先通3-5min的攜源氣體，關閉氣源后再繼續進行擴散；印刷磷漿的區域形成高參雜深擴散區，未印刷磷漿的區域形成低參雜淺擴散區，選擇性發射極制成。

在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65μm。

本發明的有益效果是：該太陽能擴散選擇性發射極的制備方法，在技術上，高摻雜區做電極時可較容易形成歐姆接觸且體電阻小，從而減低串聯電阻，提高填充因子FF，還可以減少復合，增加光生載流子的收集，從而提高Isc，在生產中，相對于現行工業化生產，由于在快速擴散中擴散時間短，總熱耗少，也可進一步的降低工藝成本。

附圖說明

下面結合附圖對本發明作進一步的說明。

附圖1為本發明一種太陽能擴散選擇性發射極的制備方法的原理圖。

具體實施方式

一種太陽能擴散選擇性發射極的制備方法，包含以下步驟：首先對硅片進行激光制絨處理；然后在制絨后的硅片表面電極柵線網狀區域中印刷高濃度磷漿，在正面電極所印刷的高濃度磷漿柵線寬度約為55-65μm；再在充滿POCL3的氛圍中進行短時間擴散，先通3-5min的攜源氣體，關閉氣源后再繼續進行擴散；印刷磷漿的區域形成高參雜深擴散區，未印刷磷漿的區域形成低參雜淺擴散區，選擇性發射極制成；最后再進行去除磷硅玻璃及周邊P-N結、鍍減反射膜、印刷鋁背場、印刷正電極、燒結、分類檢測工序，太陽能電池片制成。