[發(fā)明專利]TFT?LCD陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310747068.1 | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103885262B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐亮 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司44217 | 代理人: | 蔡曉紅 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 數(shù)據(jù)線 斷線 修復(fù) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD基板制造領(lǐng)域,尤其涉及一種TFT-LCD陣列基板及其數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)方法。?
背景技術(shù)
隨著信息社會的發(fā)展,人們對顯示設(shè)備的需求得到了增長。為了滿足這種不斷增長地需求,平板顯示設(shè)備比如液晶顯示器件(Liquid?Crystalline?Display?LCD)、等離子體顯示器件(Plasma?Display?Panel,PDP)、OLED(Organic?Light-Emitting?Diode)顯示器件等都得到了迅猛的發(fā)展。在平板顯示器件當(dāng)中,液晶顯示器件由于其重量低、體積小、能耗低的優(yōu)點,正在逐步取代冷陰極顯示設(shè)備。?
最初的液晶顯示器件是被動驅(qū)動,所謂被動驅(qū)動,是將電壓直接加在像素的上下電極上。通過上下電極上的電壓差來驅(qū)動液晶,形成亮暗顯示。目前主流基本上都是使用薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)來驅(qū)動液晶,TFT開關(guān)在信號控制下打開和關(guān)斷,將不同的電壓寫入下基板(陣列基板)的像素電極。寫入后,TFT在信號作用下關(guān)斷,將電壓保持住,從而實現(xiàn)了高分辨率和高灰階數(shù)。其中TFT的控制信號通過柵線輸入,像素電極上的電壓通過數(shù)據(jù)線輸入。?
目前TFT液晶顯示器件基本上分辨率都能實現(xiàn)1920×1080,甚至有的能達(dá)到3840×2160的分辨率。每個液晶顯示器件上有幾百萬個像素和接近一萬條數(shù)據(jù)線或者柵線。這么多線,不發(fā)生斷線是很難做到的。所以在實際生產(chǎn)過程中,一般都會引入斷線的修復(fù)流程。其中其修復(fù)方法的好壞,對于修復(fù)成功率有著很大的影響。?
目前常用的修復(fù)方法是:采用Laser?CVD(chemical?vapor?deposition)來修復(fù)。其原理是通過激光催化六羰基鎢分解,鎢金屬沉積在基板表面,起到導(dǎo)體?作用來實現(xiàn)的。修復(fù)方法包括:通過Laser?CVD在斷線的部位生長金屬鎢;通過Laser?Cut把旁邊的像素電極ITO(Indium?Tin?Oxides)打斷;通過激光熔融兩個端點,讓金屬鎢和絕緣膜下面的金屬走線連接在一起。這種修復(fù)工藝對于一般的陣列基板而言比較適合。由于其各層膜厚都不是很高,一般0.3~0.4um,最厚的也一般不會超過0.6um。在修復(fù)時,這些不同厚度的膜厚造成的段差相對不大;所以金屬鎢在沉積的時候相對不容易斷線,修復(fù)成功率也相對有保障。?
然而,對于采用COA技術(shù)(Color?Filter?On?Array)制成的TFT-LCD陣列基板而言,其中色層(RGB層)的膜厚都比較厚,達(dá)到3um~5um,這樣按照上述方式進行斷線修復(fù)時,其熔融的厚度較大,接觸深度較深,沉積上的金屬鎢非常容易斷線,導(dǎo)致修復(fù)成功率降低。?
因此需要提供一種能夠提高采用COA技術(shù)制成的TFT-LCD陣列基板的斷線修復(fù)成功率的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對上述缺陷,提供一種TFT-LCD陣列基板,同時還提供一種能夠提高該TFT-LCD陣列基板修復(fù)成功率的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法。?
本發(fā)明提供的一種TFT-LCD陣列基板,包括由下向上依次設(shè)置的第一金屬層、第二金屬層和透明電極層,所述第一金屬層中形成有柵線和共通電極線,所述第二金屬層中形成有數(shù)據(jù)線,所述透明電極層中形成有像素電極,所述柵線與數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域,所述像素電極以及所述共通電極線裝設(shè)于所述像素區(qū)域中,所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線,所述第二電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相互平行,所述第一電極線與所述數(shù)據(jù)線在所述第二金屬層上的投影相交。?
上述的TFT-LCD陣列基板中,所述第一電極線為平行于所述柵線的整體結(jié)構(gòu),所述第二電極線為垂直于所述柵線的間斷結(jié)構(gòu)。?
上述的TFT-LCD陣列基板中,所述第二電極線包括相互平行設(shè)置的第一第二電極線和第二子電極線,所述共通電極線為由所述第一子電極線、第二子電極線以及第一電極線相互連接構(gòu)成的H型結(jié)構(gòu)。?
上述的TFT-LCD陣列基板,所述TFT-LED陣列基板還包括連接線,所述連接線與所述像素電極同層設(shè)置,所述連接線跨設(shè)在所述柵線上,所述連接線的一端與所述柵線一側(cè)的第二子電極線連接,所述連接線的另一端與所述柵線另一側(cè)的第二子電極線連接。?
上述的TFT-LCD陣列基板中,分別位于每條所述柵線兩側(cè)的所述共通電極線通過所述連接線相互連通。?
本發(fā)明還提供一種TFT-LCD陣列基板的數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)方法,包括:?
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





