[發(fā)明專利]TFT?LCD陣列基板及其數(shù)據線斷線的修復方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310747068.1 | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103885262B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐亮 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司44217 | 代理人: | 蔡曉紅 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 數(shù)據線 斷線 修復 方法 | ||
1.一種TFT-LCD陣列基板,包括由下向上依次設置的第一金屬層、第二金屬層和透明電極層,所述第一金屬層中形成有柵線和共通電極線,所述第二金屬層中形成有數(shù)據線,所述透明電極層中形成有像素電極,所述柵線與數(shù)據線交叉形成像素區(qū)域,所述像素電極以及所述共通電極線裝設于所述像素區(qū)域中,其特征在于,所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線,所述第二電極線與所述數(shù)據線在所述第二金屬層上的投影相互平行,所述第一電極線與所述數(shù)據線在所述第二金屬層上的投影相交。
2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第一電極線為平行于所述柵線的整體結構,所述第二電極線為垂直于所述柵線的間斷結構。
3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述第二電極線包括相互平行設置的第一子電極線和第二子電極線,所述共通電極線為由所述第一子電極線、第二子電極線以及第一電極線相互連接構成的H型結構。
4.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,所述TFT-LED陣列基板還包括連接線,所述連接線與所述像素電極同層設置,所述連接線跨設在所述柵線上,所述連接線的一端與所述柵線一側的第二子電極線連接,所述連接線的另一端與所述柵線另一側的第二子電極線連接。
5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板,其特征在于,分別位于每條所述柵線兩側的所述共通電極線通過所述連接線相互連通。
6.一種TFT-LCD陣列基板的數(shù)據線斷線修復方法,其特征在于,包括:
S1、查找出數(shù)據線的斷點的位置;
S2、采用激光焊接方法將所述斷點兩側的數(shù)據線通過共通電極線連接起來;其中,所述共通電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線,所述第二電極線與所述數(shù)據線在所述第二金屬層上的投影相互平行,所述第一電極線與所述數(shù)據線在所述第二金屬層上的投影相交;采用激光切割方法斷開所述斷點所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
7.根據權利要求6所述的數(shù)據線斷線修復方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
S21、采用激光焊接方法將斷點兩側的數(shù)據線分別與其在所述第二金屬層上的投影相交的所述第一電極線熔接,在所述數(shù)據線與所述第一電極線的投影的交點處形成熔接點;
S22、采用激光切割方法將所述熔接點相鄰兩側的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
8.根據權利要求7所述的數(shù)據線斷線修復方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
S23、斷開的所述數(shù)據線通過所述第一電極線、連接在所述第一電極線與另一所述第一電極線之間的并連通的第二電極線以及另一所述第一電極線連通。
9.根據權利要求6所述的數(shù)據線斷線修復方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
S21、采用激光焊接方法將斷點兩側的數(shù)據線分別與其鄰近的所述第二電極線熔接,在所述數(shù)據線與所述第二電極線之間形成熔接點;
S22、采用激光切割方法將所述熔接點相鄰兩側的像素區(qū)域中的第一電極線切斷從而斷開所述斷點所在像素區(qū)域中的共通電極線與相鄰像素區(qū)域中的共通電極線的連接。
10.根據權利要求9所述的數(shù)據線斷線修復方法,其特征在于,所述步驟S2還包括:
S23、斷開的所述數(shù)據線通過所述第二電極線連通。
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