[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310746926.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103681457B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾紹海
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S01，提供襯底，在所述襯底上依次形成有襯墊氧化層和刻蝕阻擋層；

步驟S02，刻蝕所述刻蝕阻擋層、襯墊氧化層和襯底，以形成位于所述襯底中的淺溝槽；

步驟S03，淀積應(yīng)變材料以填充所述淺溝槽，并去除所述淺溝槽上端口附近的所述刻蝕阻擋層和襯墊氧化層，以暴露出所述淺溝槽上端口附近的襯底；

步驟S04，于上述所形成的層疊結(jié)構(gòu)上注入氧氣并進行退火處理，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為氮化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變材料為應(yīng)變鍺硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變鍺硅是通過選擇性外延工藝淀積以填充所述淺溝槽。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，淀積所述應(yīng)變鍺硅的工藝溫度是600℃～750℃，反應(yīng)氣體為二氯氫硅，鍺烷和氫氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變鍺硅中鍺的濃度大于50％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述淺溝槽上端口附近的所述刻蝕阻擋層和襯墊氧化層是通過干法刻蝕實現(xiàn)的，其中，去除區(qū)域的寬度為3nm～5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，步驟S03還包括于所述刻蝕阻擋層上涂布一層光刻膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述注入氧氣是通過離子注入實現(xiàn)的，注入能量大于200Kev。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火處理后形成位于所述襯底內(nèi)并在所述淺溝槽側(cè)壁外的二氧化硅隔離層，其中，退火溫度為1000℃～1100℃，退火時間為25秒～40秒。