[發明專利]TFT觸摸屏及其制備方法

有效

• 申請號: 201310746532.5
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103777813B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 張迅;張伯倫
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及觸摸屏技術領域，特別是涉及一種TFT觸摸屏及其制備方法。

背景技術

目前TFT（Thin-Film Transistor）觸摸屏的結構一般包括玻璃面板、感應層和TFT基板。這種TFT觸摸屏的制備一般是在玻璃面板上鍍制感應層，然后再將TFT基板與玻璃面板進行貼合得到TFT觸摸屏。

目前，電子產品往輕薄化的趨勢發展，對于觸摸屏輕薄化的要求越來越高。現有的TFT觸摸屏的厚度仍然難以滿足輕薄化的要求。

并且，制備上述結構的TFT觸摸屏時，現有技術只能在350℃～450℃的高溫下才能在玻璃面板上鍍制感應層，而在一般情況下，TFT基板中的液晶分子與邊框只能耐150℃以下的溫度。因此，這種制備TFT觸摸屏的方法會在一定程度上損傷TFT基板，從而對TFT觸摸屏的性能產生不良影響。

雖然科研人員正在改善TFT基板的液晶分子與邊框耐高溫的特性，但目前技術還不成熟，尚未能夠推廣應用。

發明內容

基于此，有必要提供一種厚度較小的TFT觸摸屏。

一種TFT觸摸屏，包括TFT基板和層疊于所述TFT基板上的感應層。

在其中一個實施例中，所述感應層的材料為銦錫氧化物。

在其中一個實施例中，所述感應層的厚度為90納米～110納米。

在其中一個實施例中，所述TFT基板的表面電阻小于60歐姆/平方。

一種TFT觸摸屏的制備方法，包括如下步驟：

提供TFT基板；及

采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層，得到所述TFT觸摸屏。

在其中一個實施例中，在所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層的步驟之前，還包括對所述TFT基板進行洗滌的步驟，對所述TFT基板進行洗滌的步驟包括依次用純水和堿液進行洗滌，然后再依次進行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋。

在其中一個實施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層的步驟中，所述TFT基板的溫度為100℃～120℃。

在其中一個實施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層的步驟中，所述磁控濺射的真空度為2.5×10^-1Pa～3.50×10^-3Pa。

在其中一個實施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層的步驟中，所述磁控濺射的電壓為300V～350V，功率7500W～9000W。

在其中一個實施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應層的步驟中，通入氧氣和氬氣，所述氧氣的流量為12sccm，氬氣的流量為900sccm。

感應層直接層疊于TFT基板上得到上述TFT觸摸屏，相比傳統的感應層層疊于玻璃面板上再用貼合工藝將TFT基板貼合到玻璃面板上得到的TFT觸摸屏，其厚度較小，有利于使用該TFT觸摸屏的電子產品往輕薄化的方向發展。

附圖說明

圖1為一實施方式的TFT觸摸屏的結構示意圖；

圖2為一實施方式的TFT觸摸屏的制備方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

請參閱圖1，一實施方式的TFT觸摸屏100，包括TFT基板20和層疊于TFT基板20上的感應層40。

TFT基板20包括液晶顯示屏（圖未示）和圍繞液晶顯示屏的邊框（圖未示）。

優選地，TFT基板20的表面電阻小于60歐姆/平方。

感應層40的材料為導電材料。導電材料可以為金屬、銦錫氧化物（ITO）、摻鋁的氧化鋅（AZO）和摻銦的氧化鋅（IZO），優選為ITO。

感應層40層疊于TFT基板20的液晶顯示屏上。

優選地，感應層40的厚度為90納米～110納米，以使感應層40的透光率較高，保證TFT基板20具有較好的透光性能。

感應層40直接層疊于TFT基板20上得到上述TFT觸摸屏100，相比傳統的感應層層疊于玻璃面板上再用貼合工藝將TFT基板貼合到玻璃面板上得到的TFT觸摸屏，其厚度較小，有利于使用該TFT觸摸屏100的電子產品往輕薄化的方向發展。