[發明專利]LDMOS器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201310745831.7
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104752219A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 程勇;蒲賢勇;王海強;汪銘;馬千成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內的一側形成有體區；

形成位于所述半導體襯底表面，并覆蓋所述體區的掩膜層，所述掩膜層具有多個開口，所述多個開口暴露出另一側的半導體襯底表面；

以所述掩膜層為掩膜進行摻雜形成預漂移區，所述預漂移區內具有與多個開口相對應的多個子摻雜區；

對所述預漂移區進行退火處理形成漂移區；

形成位于部分體區和部分漂移區表面的柵極結構。

2.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，還包括：提供待形成的LDMOS器件的擊穿電壓或工作電壓；根據所述擊穿電壓或工作電壓獲得漂移區的長度、漂移區的摻雜離子和對應的摻雜濃度；根據所述漂移區的長度、漂移區的摻雜離子和對應的摻雜濃度獲得掩膜層的開口大小、形狀和數量。

3.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在各LDMOS器件的漂移區的長度相同，且面積相同，且掩膜層的各開口大小相同的條件下，所述掩膜層在各LDMOS器件所在區域的開口數量的比值與各LDMOS器件的漂移區的摻雜濃度的比值相同。

4.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，摻雜形成的預漂移區內的各子摻雜區的深度均大于淺溝槽隔離結構的深度。

5.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述預漂移區內的各子摻雜區的深度等于所述體區的深度。

6.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，當所述半導體襯底包括多個區域，用于形成多個LDMOS器件時，所述掩膜層位于半導體襯底的多個區域表面，定義出各LDMOS器件的預漂移區。

7.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，對所述預漂移區進行退火處理的溫度為900℃-1000℃，退火時間為10秒-30秒。

8.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，對所述預漂移區進行高壓退火時，所述退火處理的溫度為900℃-1000℃，退火時間為1小時-2小時。

9.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述預漂移區的摻雜類型與體區的摻雜類型相反。

10.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，當體區的摻雜類型為N型時，所述預漂移區的摻雜類型為P型，例如B、BF₂或In；當體區的摻雜類型為P型時，所述預漂移區的摻雜類型為N型，例如P或As。

11.如權利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，還包括：以所述柵極結構為掩膜向所述體區內輕摻雜形成輕源區，向漂移區內輕摻雜形成輕漏區；在所述柵極結構的側壁形成側墻；以所述側墻和柵極結構為掩膜向所述體區內重摻雜形成源區，向所述漂移區內重摻雜形成漏區；對源區和漏區進行退火處理。

12.如權利要求11所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，還包括：形成金屬硅化物層，所述金屬硅化物層覆蓋待形成導電插塞的源區、漏區、柵電極層以及體區表面。