[發明專利]存儲器的形成方法在審

申請號：	201310745680.5	申請日：	2013-12-30
公開（公告）號：	CN104752357A	公開（公告）日：	2015-07-01
發明（設計）人：	仇圣棻;胡建強	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/8247	分類號：	H01L21/8247;H01L21/28
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	駱蘇華
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器形成方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器的形成方法。

背景技術

隨著時代的發展，信息的存儲越來越重要，非易揮發存儲器是一種較為成功的信息存儲器，它是靠電荷保存在浮柵上來存儲0/1信息的。非易揮發存儲器在無電維持時，也能很好的抗磁干擾，因此非易揮發存儲器得到廣泛應用。

隧道氧化層非易揮發存儲器(Eprom?Tannel?Oxide,ETOX）是較為常用的一種非易揮發存儲器，ETOX包括控制柵、浮柵、浮柵柵氧層和源區、漏區，通過對控制柵施加電壓，源區的電子在隧道效應作用下到達浮柵，實現存儲器的寫操作，對控制柵施加相反電壓，浮柵上的電子在隧道效應作用下離開浮柵，實現存儲單元的擦操作。浮柵上的電荷能決定源漏極之間是否導通，而這種存儲器源漏之間的導通狀態決定了存儲的信息是0或是1。

在晶圓中，ETOX與外圍驅動電路的晶體管通常同時形成，參考圖1、圖2，示出了現有技術一種形成ETOX的方法，ETOX與MOS管相鄰。如圖1所示，首先在襯底01上形成第一隔離結構02，將襯底01分為ETOX區襯底和MOS襯底區，其中ETOX區襯底用于形成ETOX，MOS襯底區用于形成MOS管。在ETOX區襯底中形成第二隔離結構03，在MOS襯底區中形成第三隔離結構04，在第二隔離結構03、第三隔離結構04露出的襯底01上形成隧道氧化層05，在ETOX區襯底的隧道氧化層05上形成多個浮柵06，用于形成ETOX，在MOS襯底區上的隧道氧化層05上形成多個柵極07，用于形成MOS管。在第一隔離結構02、第二隔離結構03、第三隔離結構04、浮柵06、柵極07的表面形成絕緣層08，去除柵極07、第二隔離結構03以及部分第一隔離結構02上的絕緣層08，以露出柵極07的表面，在多個浮柵06表面以及浮柵06之間覆蓋多晶硅層09以形成控制柵，多晶硅層09覆蓋在柵極07表面以及多個柵極07之間以形成柵極引線，對多個浮柵06表面以及浮柵06之間覆蓋的多晶硅層09進行摻雜以增強控制柵的導電性，提高ETOX的編程速度。

但是在形成多晶硅層09的過程中，由于多個浮柵06間的距離較小，多晶硅的階梯覆蓋(step?coverage)能力不佳，而使位于兩浮柵06間多晶硅層09沉積品質較差，甚至形成孔洞10(void)而降低多晶硅層09的導電性。

發明內容

本發明解決的問題是，提供一種存儲器的形成方法，能夠在不影響相鄰晶體管的功能的同時降低形成孔洞的概率。

為解決上述問題，本發明提供一種存儲器的形成方法，包括：

提供襯底，所述襯底分為存儲器襯底區和晶體管襯底區，在所述存儲器襯底區上形成多個浮柵，在所述晶體管區襯底上形成多個柵極，形成保形覆蓋所述浮柵、柵極的絕緣層；

在所述絕緣層上形成原位摻雜的第一多晶硅層，所述第一多晶硅層填充滿浮柵之間的間隙；

去除所述多個柵極表面的第一多晶硅層以及絕緣層；

在剩余的所述第一多晶硅層以及多個柵極上形成本征的第二多晶硅層。

可選的，在提供襯底的步驟中，在所述襯底中形成第一隔離結構，所述第一隔離結構用于將襯底分為存儲器襯底區和晶體管襯底區。

可選的，在提供襯底的步驟中，在所述存儲器襯底區中形成多個第二隔離結構；

形成多個浮柵的步驟包括：在所述多個第二隔離結構之間的襯底上形成多個浮柵。

可選的，在提供襯底的步驟中，在所述存儲器襯底區上形成的多個浮柵的高度為80納米到120納米的范圍內。