[發明專利]存儲器的形成方法在審
| 申請號： | 201310745680.5 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104752357A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 仇圣棻;胡建強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 形成 方法 | ||
1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底分為存儲器襯底區和晶體管襯底區，在所述存儲器襯底區上形成多個浮柵，在所述晶體管區襯底上形成多個柵極，形成保形覆蓋所述浮柵、柵極的絕緣層；
在所述絕緣層上形成原位摻雜的第一多晶硅層，所述第一多晶硅層填充滿浮柵之間的間隙；
去除所述多個柵極表面的第一多晶硅層以及絕緣層；
在剩余的所述第一多晶硅層以及多個柵極上形成本征的第二多晶硅層。
2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供襯底的步驟中，在所述襯底中形成第一隔離結構，所述第一隔離結構用于將襯底分為存儲器襯底區和晶體管襯底區。
3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供襯底的步驟中，在所述存儲器襯底區中形成多個第二隔離結構；
形成多個浮柵的步驟包括：在所述多個第二隔離結構之間的襯底上形成多個浮柵。
4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供襯底的步驟中，在所述存儲器襯底區上形成的多個浮柵的高度為80納米到120納米的范圍內。
5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供襯底的步驟中，在所述存儲器襯底區上形成有多個浮柵的間距在60納米到70納米的范圍內。
6.根據權利要求4或5所述的形成方法，在所述絕緣層上形成原位摻雜的第一多晶硅層的步驟包括：所述第一多晶硅層的厚度為30納米到40納米。
7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成原位摻雜的第一多晶硅層的步驟包括：采用化學氣相沉積法形成所述第一多晶硅層，在化學氣相沉積的同時，對所述第一多晶硅層進行摻雜。
8.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成原位摻雜的第一多晶硅層的步驟包括：采用磷離子或砷離子對所述第一多晶硅層進行摻雜。
9.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二多晶硅層以后，還包括：對位于第一多晶硅層表面的第二多晶硅層進行離子注入，注入的離子類型與第一多晶硅層的摻雜類型相同。
10.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二多晶硅層以后，還包括：在第二多晶硅層中形成隔離結構，將位于存儲器襯底區上方的第二多晶硅層和位于晶體管襯底區上方的第二多晶硅層分隔開。
11.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二多晶硅層以后，還包括：在浮柵露出的存儲器襯底區中形成源區、漏區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
