[發明專利]增強NOR型FLASH可靠性的方法

有效

• 申請號: 201310745626.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104751893B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 胡洪;洪杰;王林凱;蘇如偉;舒清明
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發明涉及FLASH技術領域，尤其涉及一種增強NOR型FLASH可靠性的方法；其中所述方法包括：FLASH上電復位過程中，記錄FLASH存儲陣列中數據為0的存儲單元；當所述數據為0存儲單元的閾值電壓小于預定閾值時，記錄所述存儲單元的地址信息；在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息對應的存儲單元進行增強操作；所述增強操作為增強存儲單元的閾值電壓。本發明技術方案的采用，保證了NOR型FLASH中數據為0存儲單元閾值電壓的穩定性，進而提高了數據讀取的準確性，減少了誤讀，提升了NOR型FLASH的可靠性。

技術領域

本發明涉及FLASH技術領域，尤其涉及一種增強NOR型FLASH可靠性的方法。

背景技術

可靠性是產品在規定條件下和規定時間內完成規定功能的能力。對于閃存（FlashMemory），簡稱FLASH，一般而言，數據保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價閃存可靠性的重要參數，其中，數據保持力指的是閃存存儲的數據經過一段時間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。

對于FLASH，隨著時間的推移，FLASH中存儲單元的閾值電壓會發生變化。圖1示出的現有技術中NOR型FLASH中存儲單元的閾值電壓變化示意圖；參考圖1，對于FLASH中存儲單元而言，浮柵中存儲的電荷量決定了存儲單元的閾值電壓，而存儲單元的閾值電壓則決定了存儲單元是存儲數據0，還是存儲數據1。隨著時間的推移，外界條件會不斷作用于存儲陣列中存儲單元，致使浮柵中儲存的電荷通過存儲單元的溝道流失；隨著存儲單元浮柵中電荷的減少會引起存儲單元的閾值電壓減小，當存儲單元的閾值電壓減小到一定值后，就難以判斷出存儲單元存儲的數據是0還是1，從而在讀操作中引起數據的誤讀，使得NOR型FLASH可靠性降低。

發明內容

本發明的目的在于提出一種增強NOR型FLASH可靠性的方法，以使NOR型FLASH在使用過程中，隨著使用時間的延長，仍能保持存儲數據的可靠性。

本發明實施例提供了一種增強NOR型FALSH可靠性的方法，包括：

FLASH上電復位過程中，記錄FLASH存儲陣列中數據為0的存儲單元；

當所述數據為0存儲單元的閾值電壓小于預定閾值時，記錄所述存儲單元的地址信息；

在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息對應的存儲單元進行增強操作；所述增強操作為增強存儲單元的閾值電壓。

進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述記錄所述存儲單元的地址信息，包括：

記錄所述存儲單元所在存儲塊的地址。

進一步的，所述的NOR型FALSH可靠性的方法，所述在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息所對應的存儲單元進行增強操作，包括：

在FLASH上電復位過程中，依次對地址信息所對應的存儲單元進行增強操作。

進一步的，所述的NOR型FLASH可靠性的方法，所述在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息所對應的存儲單元進行增強操包括：

在FLASH上電復位過程中，依次選中存儲陣列中包含地址信息所對應存儲單元的存儲塊；以及

對選中存儲塊中地址信息對應的存儲單元進行增強操作。

進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述增強操作指在所述地址信息所對應的存儲單元的柵極施加第一電壓，漏極施加第二電壓，源極連接于接地極。

進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述第一電壓為8V至12V和所述第二電壓為2V至6V。