[發明專利]增強NOR型FLASH可靠性的方法有效
| 申請號： | 201310745626.0 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104751893B | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發明（設計）人： | 胡洪;洪杰;王林凱;蘇如偉;舒清明 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增強 nor flash 可靠性 方法 | ||
1.一種增強NOR型FALSH可靠性的方法，其特征在于，包括：
FLASH上電復位過程中，記錄FLASH存儲陣列中數據為0的存儲單元；
預先對參考存儲單元設定預定閾值，當對數據為0的存儲單元的讀取電流大于所述參考存儲單元的讀取電流時，則數據為0的存儲單元的閾值電壓小于預定閾值；當所述數據為0存儲單元的閾值電壓小于預定閾值時，記錄所述存儲單元的地址信息；
在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息對應的存儲單元進行增強操作；所述增強操作為增強存儲單元的閾值電壓。
2.如權利要求1所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述記錄所述存儲單元的地址信息，包括：
記錄所述存儲單元所在存儲塊的地址。
3.如權利要求1所述的NOR型FALSH可靠性的方法，其特征在于，所述在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息所對應的存儲單元進行增強操作，包括：
在FLASH上電復位過程中，依次對地址信息所對應的存儲單元進行增強操作。
4.如權利要求1所述的NOR型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在FLASH上電復位過程中，對所述地址信息所對應的存儲單元進行增強操作，包括：
在FLASH上電復位過程中，依次選中存儲陣列中包含地址信息所對應存儲單元的存儲塊；以及
對選中存儲塊中地址信息對應的存儲單元進行增強操作。
5.如權利要求1-4任一所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述增強操作為在所述地址信息所對應的存儲單元的控制柵極施加第一電壓，漏極施加第二電壓，源極連接于接地極。
6.如權利要求5所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述第一電壓為8V至12V和所述第二電壓為2V至6V。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京兆易創新科技股份有限公司，未經北京兆易創新科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310745626.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種非易失性存儲器的編程方法
- 下一篇：讀操作時間控制電路
