[發(fā)明專利]柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310745281.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN103745941A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏星;曹鐸;狄增峰;方子韋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L23/544;G01R31/12
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，包括如下步驟：?提供一襯底，所述襯底包括一絕緣埋層以及位于所述絕緣埋層表面的一用于制造器件的頂層半導(dǎo)體層；?在所述頂層半導(dǎo)體層表面制作一第一金屬電極及生長(zhǎng)一柵介質(zhì)薄膜；?在所述柵介質(zhì)薄膜表面制作一第二金屬電極及第三金屬電極，所述第一金屬電極的面積及第二金屬電極的面積大于所述第三金屬電極的面積；?在所述第一金屬電極與所述第三金屬電極上施加電壓，進(jìn)行電流-電壓測(cè)試，以得到所述柵介質(zhì)的漏電流；?在所述第二金屬電極與第三金屬電極上施加電壓，進(jìn)行電容-電壓測(cè)試，以得到所述柵介質(zhì)的電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述制作第一金屬電極的步驟包括：?對(duì)襯底的頂層半導(dǎo)體層進(jìn)行光刻處理，確定第一金屬電極的位置及形狀；?沉積金屬薄膜；?采用剝離工藝，去除光刻膠及多余金屬薄膜，在頂層半導(dǎo)體層上形成一第一金屬電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述生長(zhǎng)柵介質(zhì)薄膜的步驟包括：?將帶有第一金屬電極的襯底進(jìn)行清洗；?將清洗后的帶有第一金屬電極的襯底置于原子層沉積反應(yīng)腔中，利用原子層沉積的方式生長(zhǎng)柵介質(zhì)薄膜；?原位對(duì)生長(zhǎng)的柵介質(zhì)薄膜進(jìn)行氧等離子體處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述制作第二金屬電極及第三金屬電極的步驟包括：?對(duì)襯底的具有第一金屬電極及柵介質(zhì)薄膜的表面進(jìn)行掩膜處理，確定第二金屬電極及第三金屬電極的位置及形狀；?沉積金屬薄膜；?采用剝離工藝，去除掩膜，在柵介質(zhì)薄膜上形成一第二金屬電極及第三金屬電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，在所述柵介質(zhì)薄膜上制作第二金屬電極及第三金屬電極后，進(jìn)一步包括一退火步驟，以形成歐姆接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述襯底經(jīng)過一清洗干燥步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，在襯底上制作第一金屬電極后進(jìn)一步包括一采用標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗工藝對(duì)襯底進(jìn)行清洗的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)薄膜為高介電常數(shù)介質(zhì)薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵介質(zhì)的電學(xué)性能的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一金屬電極的面積及第二金屬電極的面積大于100倍的第三金屬電極的面積。