[發(fā)明專利]高電子遷移率晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310745064.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103745989A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏星;王中健;狄增峰;方子韋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種高電子遷移率晶體管，形成于一半導(dǎo)體襯底表面，所述半導(dǎo)體表面設(shè)置有異質(zhì)結(jié)層，所述異質(zhì)結(jié)層內(nèi)部極化而產(chǎn)生二維電子氣，所述異質(zhì)結(jié)層的表面具有源電極、漏電極和柵電極以構(gòu)成高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底中包括一輔助耗盡層，所述輔助耗盡層由P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層沿著平行于襯底表面的方向交替堆疊構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述輔助耗盡層中至少包括彼此交替堆疊設(shè)置的兩層P型半導(dǎo)體層和兩層N型半導(dǎo)體層。