[發(fā)明專利]帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310745063.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103745997A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏星;王中健;狄增峰;方子韋
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管，包括襯底表面的柵極，以及柵極兩側(cè)的源極和漏極，在漏極和柵極之間的襯底中設(shè)置有漂移區(qū)，其特征在于，所述漂移區(qū)由第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，在漂移區(qū)中設(shè)置多個溝槽，所述溝槽的軸向的兩端分別是漏極和柵極，所述溝槽內(nèi)填充第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料形成摻雜柱，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的摻雜柱和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料的漂移區(qū)共同構(gòu)成超結(jié)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管，其特征在于，所述襯底中進(jìn)一步包括一絕緣埋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。

5.一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底，所述襯底由第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

在所述襯底中形成溝槽；

采用第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料填充所述溝槽，形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的摻雜柱，

在所述摻雜柱軸向的兩端分別形成柵極和漏極，并在柵極遠(yuǎn)離漏極的一側(cè)形成源極，從而形成一高壓晶體管，所述摻雜柱所在區(qū)域?yàn)槠茀^(qū)，所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的摻雜柱和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料的漂移區(qū)共同構(gòu)成超結(jié)結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，所述襯底中進(jìn)一步包括一絕緣埋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，在形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的摻雜柱的步驟之后，進(jìn)一步包括一退火步驟，以修復(fù)摻雜柱和襯底之間的界面缺陷。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，在形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的摻雜柱的步驟之后，進(jìn)一步包括一拋光步驟，以使襯底表面平坦化。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。