[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝配方加載方法及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310744273.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104750045A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘宇涵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G05B19/418 | 分類號(hào): | G05B19/418;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 陳振 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝 配方 加載 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝配方加載方法,其特征在于,包括以下步驟:
S100,設(shè)置深硅刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面為初始加載頁(yè)面;
S200,從半導(dǎo)體工藝任務(wù)中讀取機(jī)臺(tái)類型數(shù)據(jù),并根據(jù)讀取結(jié)果檢測(cè)機(jī)臺(tái)的類型;
S300,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型為深硅刻蝕設(shè)備時(shí),加載所述初始加載頁(yè)面進(jìn)行配方編輯;
S400,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型為IC刻蝕設(shè)備時(shí),為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動(dòng)態(tài)創(chuàng)建一個(gè)同名的父Recipe,生成當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
S500,根據(jù)生成的所述當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件,加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面進(jìn)行配方編輯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝配方加載方法,其特征在于,在步驟S200之后,還包括如下步驟:
S210,當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型不是深硅刻蝕設(shè)備或IC刻蝕設(shè)備時(shí),返回步驟S200。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝配方加載方法,其特征在于,還包括以下步驟:
S600,在加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面時(shí),隱藏所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面中的父Recipe的編輯欄和顯示欄,調(diào)整所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面中的控件位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝配方加載方法,其特征在于,所述步驟S400包括以下步驟:
S410,讀取所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe;
S420,判斷所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中是否存在原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件,若判斷為是,則刪除所述原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
S430,若判斷為否,則為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動(dòng)態(tài)創(chuàng)建一個(gè)同名的父Recipe,根據(jù)所述子Recipe與其對(duì)應(yīng)的所述父Recipe的存儲(chǔ)關(guān)系,生成所述當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件。
5.一種半導(dǎo)體工藝配方加載系統(tǒng),其特征在于,包括設(shè)置模塊、檢測(cè)模塊、第一加載模塊、配置文件生成模塊以及第二加載模塊;
所述設(shè)置模塊,用于設(shè)置深硅刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面為初始加載頁(yè)面;
所述檢測(cè)模塊,用于從半導(dǎo)體工藝任務(wù)中讀取機(jī)臺(tái)類型數(shù)據(jù),并根據(jù)讀取結(jié)果檢測(cè)機(jī)臺(tái)的類型;
所述第一加載模塊,用于當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型為深硅刻蝕設(shè)備時(shí),加載所述初始加載頁(yè)面進(jìn)行配方編輯;
所述配置文件生成模塊,用于當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型為IC刻蝕設(shè)備時(shí),為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動(dòng)態(tài)創(chuàng)建一個(gè)同名的父Recipe,生成當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
所述第二加載模塊,用于根據(jù)生成的所述當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件,加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面進(jìn)行配方編輯。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝配方加載系統(tǒng),其特征在于,還包括終止模塊;
所述終止模塊,用于當(dāng)所述機(jī)臺(tái)的類型不是深硅刻蝕設(shè)備或IC刻蝕設(shè)備時(shí),返回檢測(cè)模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝配方加載系統(tǒng),其特征在于,還包括頁(yè)面調(diào)整模塊;
所述頁(yè)面調(diào)整模塊,用于在所述第二加載模塊加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面時(shí),隱藏所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面中的父Recipe的編輯欄和顯示欄,調(diào)整所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁(yè)面中的控件位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體工藝配方加載系統(tǒng),其特征在于,所述配置文件生成模塊包括讀取單元、判斷單元以及生成單元;
所述讀取單元,用于讀取所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe;
所述判斷單元,用于判斷所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中是否存在原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件,若判斷為是,則刪除所述原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
所述生成單元,用于在判斷所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中不存在原始的RecipeConfig.xml文件后,為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動(dòng)態(tài)創(chuàng)建一個(gè)同名的父Recipe,根據(jù)所述子Recipe與其對(duì)應(yīng)的所述父Recipe的存儲(chǔ)關(guān)系,生成所述當(dāng)前工藝配置的RecipeConfig.xml文件。
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