[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝配方加載方法及系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310744273.2 | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN104750045A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 潘宇涵 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G05B19/418 | 分類號: | G05B19/418;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 陳振 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝 配方 加載 方法 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是涉及一種兼容IC刻蝕設(shè)備和深硅刻蝕設(shè)備的半導(dǎo)體工藝配方加載方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
Recipe(自動化工藝配方)是半導(dǎo)體設(shè)備軟件的重要功能模塊,它負責(zé)存儲設(shè)備自動化工藝配方。一般情況下,例如,IC刻蝕設(shè)備,機臺在執(zhí)行自動工藝時只需調(diào)用一個Recipe,下發(fā)給設(shè)備,設(shè)備按照Recipe執(zhí)行工藝。然而隨著刻蝕工藝的發(fā)展,機臺在執(zhí)行自動化工藝時已不再局限于只調(diào)用單一Recipe這種形式,例如具有博時工藝的深硅刻蝕設(shè)備,機臺在執(zhí)行自動工藝時通常會調(diào)用多個Recipe來實現(xiàn)硅片的刻蝕。
對于深硅刻蝕設(shè)備,系統(tǒng)提供父Recipe的編輯功能,將多個子Recipe組織成一個父Recipe。執(zhí)行工藝時,用戶選擇一個父Recipe下發(fā)給設(shè)備。而對于IC刻蝕設(shè)備,系統(tǒng)不提供父Recipe的編輯功能,執(zhí)行自動工藝時,用戶只需選擇一個子Recipe下發(fā)給設(shè)備。對于深硅刻蝕設(shè)備和IC刻蝕設(shè)備,系統(tǒng)中子Recipe的編輯部分基本是完全一致的,都需要具有配方編輯、步驟編輯、配方導(dǎo)入導(dǎo)出等功能。
深硅刻蝕設(shè)備的Recipe編輯模塊維護一個名為RecipeConfig的XML文件,該文件負責(zé)組織父Recipe與子Recipe的存儲關(guān)系。而IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯模塊不需要維護這種XML文件,系統(tǒng)在下發(fā)Recipe時只下發(fā)一個子Recipe。
基于上述情況,傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝配方加載方法及系統(tǒng),通常包括兩種Recipe界面,對于深硅刻蝕設(shè)備和IC刻蝕設(shè)備分別加載相應(yīng)的界面。這樣,開發(fā)人員需要維護兩套界面,用來實現(xiàn)兩種不同的Recipe編輯方式。但是,對于深硅刻蝕設(shè)備和IC刻蝕設(shè)備而言,兩套界面有很多相同的功能代碼,當這部分功能代碼需要更改時,開發(fā)人員必須在兩處做相同的修改,增加了代碼維護操作以及修改風(fēng)險。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足,提供一種兼容IC刻蝕設(shè)備和深硅刻蝕設(shè)備的半導(dǎo)體工藝配方加載方法及系統(tǒng),以減少代碼維護操作以及出錯風(fēng)險。
為實現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的半導(dǎo)體工藝配方加載方法,包括以下步驟:
S100,設(shè)置深硅刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面為初始加載頁面;
S200,從半導(dǎo)體工藝任務(wù)中讀取機臺類型數(shù)據(jù),并根據(jù)讀取結(jié)果檢測機臺的類型;
S300,當所述機臺的類型為深硅刻蝕設(shè)備時,加載所述初始加載頁面進行配方編輯;
S400,當所述機臺的類型為IC刻蝕設(shè)備時,為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動態(tài)創(chuàng)建一個同名的父Recipe,生成當前工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
S500,根據(jù)生成的所述當前工藝配置的RecipeConfig.xml文件,加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面進行配方編輯。
其中,在步驟S200之后,還包括如下步驟:
S210,當所述機臺的類型不是深硅刻蝕設(shè)備或IC刻蝕設(shè)備時,返回步驟S200。
其中,所述半導(dǎo)體工藝配方加載方法還包括以下步驟:
S600,在加載所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面時,隱藏所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面中的父Recipe的編輯欄和顯示欄,調(diào)整所述IC刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面中的控件位置。
其中,所述步驟S400包括以下步驟:
S410,讀取所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe;
S420,判斷所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中是否存在原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件,若判斷為是,則刪除所述原始工藝配置的RecipeConfig.xml文件;
S430,若判斷為否,則為所述半導(dǎo)體工藝任務(wù)中的所有子Recipe分別動態(tài)創(chuàng)建一個同名的父Recipe,根據(jù)所述子Recipe與其對應(yīng)的所述父Recipe的存儲關(guān)系,生成所述當前工藝配置的RecipeConfig.xml文件。
相應(yīng)地,本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝配方加載系統(tǒng),包括設(shè)置模塊、檢測模塊、第一加載模塊、配置文件生成模塊以及第二加載模塊;
所述設(shè)置模塊,用于設(shè)置深硅刻蝕設(shè)備的Recipe編輯頁面為初始加載頁面;
所述檢測模塊,用于從半導(dǎo)體工藝任務(wù)中讀取機臺類型數(shù)據(jù),并根據(jù)讀取結(jié)果檢測機臺的類型;
所述第一加載模塊,用于當所述機臺的類型為深硅刻蝕設(shè)備時,加載所述初始加載頁面進行配方編輯;
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