[發明專利]一種平緩光滑側壁形貌的SiC刻蝕方法

有效

• 申請號: 201310744241.2
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103715065B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 楊霏;陸敏;田亮;張昭;于坤山
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網智能電網研究院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司11271
• 代理人: 徐國文

1.一種平緩光滑側壁形貌的SiC刻蝕方法，所述方法內包括依次進行的SiC材料清洗、沉積疏松掩膜層、光刻、去膠和干法刻蝕SiC材料步驟，其特征在于，在步驟光刻和去膠之間增加依次進行的干法刻蝕疏松掩膜層和濕法腐蝕光滑掩膜層步驟，通過控制平緩光滑側壁形貌的掩膜，獲得平緩光滑側壁形貌的SiC；

所述疏松掩膜層的密度小于對應單晶掩膜層密度的95％；

所述SiC材料清洗包括如下清洗步驟：

(1)采用1#清洗液：氨水：雙氧水：純水＝1:1:5，溫度70°，時間5分；2#清洗液：鹽酸：雙氧水：純水＝1:1:5，溫度70°時間5分；BOE清洗液：氫氟酸：氟化銨＝1:20，常溫，時間30秒；丙酮超聲5分；異丙醇超聲5分；DI水沖洗5分，烘干，待用；或

(2)采用1#清洗液：氨水：雙氧水：純水＝1:1:5，溫度70°，時間5分；BOE清洗液：氫氟酸：氟化銨＝1:20，常溫，時間30秒；2#清洗液：鹽酸：雙氧水：純水＝1:1:5，溫度70°時間5分；BOE清洗液：氫氟酸：氟化銨＝1:20，常溫，時間30秒；異丙醇超聲5分；丙酮超聲5分；異丙醇超聲5分；DI水沖洗5分，烘干，待用；

所述疏松掩膜層包括疏松氧化硅和疏松氮化硅、疏松氮氧硅硬掩膜層；沉積掩疏松膜層包括室溫條件下的離子體增強化學氣相沉積方法PECVD、等離子體化學氣相淀積ICPCVD和物理氣相沉積方法PVD；

所述光刻包括涂膠、前烘、曝光、后烘、顯影和堅膜工藝步驟；

所述干法刻蝕疏松掩膜層包括反應離子刻蝕疏松掩膜層和感應耦合等離子體刻蝕疏松掩膜層；

所述濕法腐蝕光滑掩膜層包括采用BOE清腐蝕液對干法刻蝕形成的掩膜層進行腐蝕，以使掩膜層光滑；

所述去膠包括丙酮浸泡、去膠劑去除、氧等離子體去膠、曝光后顯影液去膠以及上述一種以上的組合去膠方式；

所述干法刻蝕SiC材料包括反應離子刻蝕SiC材料和感應耦合等離子體刻蝕SiC材料。