[發明專利]一種硅通孔的測試結構在審
| 申請號： | 201310743147.5 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN104752406A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 包小燕;葛洪濤 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅通孔 測試 結構 | ||
1.一種硅通孔的測試結構，包括：
半導體襯底；
硅通孔，部分嵌于所述半導體襯底內；
導電材料層，位于所述半導體襯底上方、所述硅通孔的外側并與所述硅通孔相連接；
其中，所述硅通孔以及所述導電材料層構成電容測試結構。
2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述導電材料層呈環形結構，環繞設置于所述硅通孔的四周。
3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述導電材料層呈相互隔離的條狀結構，均勻分散設置于所述硅通孔的四周。
4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述導電材料層包括至少兩個隔離的條狀結構，相對于所述硅通孔呈中心對稱狀設置。
5.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，每個所述條狀結構的導電材料層均與彼此獨立的測試焊盤相連接。
6.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括至少兩個測試焊盤，以分別連接所述硅通孔和所述導電材料層。
7.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述硅通孔包括位于中心的導電層和環繞包圍所述導電層的隔離層。
8.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括層間介電層，所述層間介電層位于所述導電材料層的上方，環繞設置于所述硅通孔的四周。
9.根據權利要求8所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括連接通孔，所述測試焊盤通過所述連接通孔與所述導電材料層電連接。
10.根據權利要求9所述的測試結構，其特征在于，所述連接通孔設置于所述層間介電層中。
11.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構包括多個所述硅通孔，以形成串聯或并聯電容結構，以對串聯或并聯電容進行測試。
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