[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201310743133.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103926754A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 吳玲;葉巖溪;沈柏平
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

氧化銦錫（Indium?Tin?Oxide，ITO）薄膜是一種n型半導體材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性。它是液晶顯示器、等離子顯示器、電致發光顯示器、觸摸屏、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的薄膜材料。現有技術中液晶顯示器中公共電極的材料為ITO薄膜，對于邊緣場面內轉動（Fringe?Field?Switching，FFS）模式的液晶顯示器，其公共電極ITO整面的厚度一般設置為如圖1所示，公共電極ITO通過面板內均勻分布的接觸孔10與位于像素邊緣的金屬公共電極11連接。

如圖2所示，在陣列基板側的像素電極21和公共電極22的材料均為ITO，其中公共電極ITO整面的厚度為20表示位于陣列基板和彩膜基板23之間的液晶，彩膜基板包括紅色的彩膜層230、綠色的彩膜層231和藍色的彩膜層232以及黑矩陣24。

針對高解析度（Pixel?Per?Inch，PPI）的設計，為了增大開口率，會減細金屬公共電極的寬度，并去掉面板上設置的接觸孔，這樣會使得公共電極ITO的電阻增加，會使液晶面板抗串擾和抗閃爍的性能變差。

綜上所述，現有技術中公共電極ITO的電阻較大，液晶面板抗串擾和抗閃爍的性能較差。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

本發明提供的一種陣列基板，包括透光區和非透光區，所述陣列基板還包括公共電極，其中至少部分位于非透光區的公共電極厚度大于位于透光區的公共電極的厚度。

本發明還提供了一種顯示面板，包括：彩膜基板，及上述的陣列基板，其中，當該陣列基板與彩膜基板對盒后，所述非透光區公共電極的位置正對該彩膜基板上的黑矩陣的位置。

本發明還提供了一種顯示裝置，該裝置包括上述的顯示面板。

本發明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述方法包括公共電極的制備，具體為：

提供一基底，所述基底包括透光區和非透光區；

在所述基底上沉積金屬氧化物薄膜；

將所述金屬氧化物薄膜通過構圖工藝形成位于所述非透光區的公共電極與位于所述透光區的公共電極；其中至少部分位于所述非透光區的公共電極厚度大于位于所述透光區的公共電極的厚度。

由本發明提供的上述陣列基板和顯示面板，將位于非透光區的公共電極和位于透光區的公共電極的厚度設置為不相等的厚度，同時將至少部分位于非透光區的公共電極厚度設置為大于位于透光區的公共電極的厚度，可以降低整面公共電極的電阻，由于所述非透光區公共電極的位置正對該彩膜基板上的黑矩陣的位置，而被黑矩陣遮擋的位置是不發光的，當該顯示面板包括上面所述的陣列基板時，可以很好的降低整面公共電極的電阻，改善串擾和閃爍，同時提升光的穿透率。

附圖說明

圖1為現有技術提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖2為現有技術提供的一種顯示面板的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板的膜層堆疊結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；

圖6為本發明實施例提供的一種陣列基板中的公共電極薄膜通過構圖工藝形成非透光區的公共電極與透光區的公共電極的方法流程圖。

具體實施方式

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，用以降低公共電極的電阻，改善串擾和閃爍，同時提升光的穿透率。

下面給出本發明實施例提供的技術方案的詳細介紹。

本發明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括透光區和非透光區，這里的非透光區指像素周邊的布線區以及存儲電容的非透光區域，該陣列基板還包括本發明具體實施例提供的公共電極，該公共電極為透明導電膜，公共電極的材料一般選用金屬氧化物導電薄膜，優選ITO透明導電薄膜，本發明實施例提供的公共電極ITO位于透光區和非透光區的厚度不相等，其中至少部分位于非透光區的公共電極ITO厚度大于位于透光區的公共電極ITO的厚度。